32 nm工艺及其设备 32 nm Technology and its Equipment.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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32 nm工艺及其设备 32 nm Technology and its Equipment

：!g剑造遮鱼皇王茎：耻墨孟玉器氢瓣哑．日圈 32nm工艺及其设备翁寿松 (无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001) am am 摘要：2007年9月英特尔推出全球首款32SRAM，2007年l1月IBM推出32SRAM； nm芯片。32am芯片将 2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为，2009年下半年量产32 采用193浸没式光刻与双重图形。高||}电介质／金属栅极，超低J|}电介质，高_|}SOl等技术。为了使双重图形技术用于32 1900I。2008年尼康推出NSR—S61lC．以用于32nm光刻工艺。关键词：32 nm工艺；193am浸没式光刻；双重图形；光刻设备中图分类号：TN305．7 文献标识码：B 文章编号： 32nm andits TechnologyEquipment WENG Shou—song LuoTeElectronic 21400 (Wuxi co．，LTD，Wuxi1，China) 1 32am 示2009年下半年量产32nm处理器，用于下一代 SRAM样品 PC，服务器。32am芯片集成度高达19亿个晶体管， 2007年下半年英特尔量产45am芯片，按照英采用第二代高后电介质／金属栅极晶体管，它是英特尔lick—tock策略，即每隔2年的奇数年推出采用更小，更先进制程的处理器，每隔2年的偶数年推出撤出32nmSRAM单元尺寸小于0．15 nm芯 Ixm2，采用高后处理器新微体系架构，可见2009年下半年32 片将步入量产。2007年3月在旧金山召开的IEDM绝缘层(S01)技术，使晶体管速度比上一代SOI提高 (同际电子器件大会)上，英特尔资深院士，工艺架构积电推出32 与集成总监MarkBohr指出：“我们正处在32am开 am测试芯片，并正式通过内部功能验证，表示2009年量产，以支持单芯片数字，模拟电发阶段，到2009年一切应该就绪”。IBM院士兼纽 Shahidi路。2008年3月台积电表示投资50亿美元在竹科约T．J．Watson研究中心硅技术总监Ghavam 兴建研发晶圆厂，专门研发32、22、15nm工艺技术。认为：32am还是有机会在2009年如期推出。2007 2007年6月瑞萨推出32 Paul nrnSRAM技术，彩用SOI 年9月英特尔总裁兼CEOOtellini在英特尔信 nmSRAM，并表技术，混合沟道隔离结构，体电位的独立和动态控制息技术峰会上展示了业内首款32 收稿日期：2008．04．16 作者简介：翁寿松(1940．)，男，浙江宁波人，高级工程师。