CMP中铜的碟形缺陷的研究 Study on the dishing of copper in CMP.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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CMP中铜的碟形缺陷的研究 Study on the dishing of copper in CMP

CM P中铜的碟形缺陷的研究周国安，靳永吉，张志军。詹阳 (中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊101601) 摘要：具体分析了铜的碟形缺陷并非由于抛光垫的弯曲造成．但是与抛光垫的表面形态有关，在此基础上，分析了铜CMP的作用机制。初步定性指出造成铜的碟形缺陷的原因，并对缺陷进行建模。比较了铜的碟形缺陷的电阻实际测量值和理论计算值，发现带碟形缺陷的电阻均大于理论值，并且随着铜的线宽增大。碟形缺陷也呈增大趋势。详细比较了选择性抛光液和非选择性抛光液对碟形缺陷的作用。从理论和测绘图形上证明选择性抛光液是造成碟形缺陷重要因素之一。采用了综合的工艺实验，最后得出抛光垫的种类及选择性抛光液在过抛光的情况下。是造成铜碟形缺陷的主要因素。关键词：CMP；碟形缺陷；铜；选择性浆料；抛光垫；压力中图分类号：TN305．2 文献标识码：A onthe of inCMP Study dishingcopper ZHOU Guo—an，JINYong-ji，ZHANGZhi-jun，ZHANYang 45thResearchInstituteof (The CETC，East 101601，China) Yanjiao，Beijing Abstract：Inthis authorconcrete the of notduetothe ofthe paper，the copper bending analysisdishing withthe ofthe author theCMP outthe pad，but topographypad．The analysis setup，andpoint possible author with resistanceactualmea- reasons．Thebuildsthemodelsof dishing．Tocomparecopperdishing surementandtheoretical theresistancewith is than withthe values，find dishinglargertheoretical，and increaseof isalso trendofdefects．Theauthor withse— copperlinewidth，thedishing increasing compare oneis tocause the lectiveandnon—selective theselective factor slurry,find important dishing．Finally authordothe sureboththeselectiveand of integratedtechnologyexperiment，make slurrytopography arethemainfactortoform pad dis