MOSFET和Poly-Si TFTs参数提取策略的研究 Research on Parameters Extraction Strategy of MOSFET and Poly-Si TFTs.pdfVIP

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２００９０７０９ 和 参数提取策略的研究 ＭＯＳＦＥＴ ＰｏｌｙＳｉＴＦＴｓ 魏长河，郑学仁 （华南理工大学微电子研究所广州， ） ５１０６４０ 摘要：随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级，精确的模型参数对于代工厂和设 计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学 开发的 和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象以包括了短沟效应窄沟效， 、 ＳＰＩＣＥ Ｌｅｖｅｌ３ ＭＯＳＦＥＴ 应漏致势垒降低效应的 阈值电压方程和多晶硅薄膜晶体管统一漏电流方程作为研究出 、 ＭＯＳＦＥＴ 发点，然后分别讨论了模型中几个主要参数的提取方法，最后给出了参数提取的流程图。 关键词：多晶硅薄膜晶体管；短沟效应；阈值电压；漏电流；参数提取 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ３０３ Ａ １００３３５３Ｘ ２００９ ０７０６５３０５ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｎ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ Ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔｒａｔｅｇｙ ｏｆ ＭＯＳＦＥＴ ａｎｄ ＰｏｌｙＳｉ ＴＦＴｓ ， Ｗｅｉ Ｃｈａｎｇｈｅ Ｚｈｅｎｇ Ｘｕｅｒｅｎ （ ， ， ， ） Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｏｕｔｈ Ｃｈｉｎａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ ５１０６４０ Ｃｈｉｎａ ： Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｄｅｖｉｃｅ ｍｏｄｅｌ ｄｒａｗｓ ｗｉｄｅ ａｔｔｅｎｔｉｏｎ ａｓ ｔｈｅ ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ ａｎｄ ｕｐｇｒａｄｅ ｏｆ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ， ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｃｃｕｒａｔｅ ｍｏｄｅｌ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｉｓ ｖｅｒｙ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｆｏｒ ｆｏｕｎｄｒｙ ａｎｄ ｄｅｓｉｇｎｅｒ． Ｉｔ ｉｓ ａ ｃｒｕｃｉａｌ ｓｔｅｐ ｆｏｒ ｔｈｅ ｃｈｏｉｃｅ ｏｆ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｓｔｒａｔｅｇｙ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｄｕｒｅ． ＳＰＩＣＥ Ｌｅｖｅｌ３ ＭＯＳＦＥＴ ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ ， ｂｙ Ｂｅｒｋｅｌｅｙ ａｎｄ ｐｏｌｙＳｉ ＴＦＴｓ ｍｏｄｅｌｓ ｗｅｒｅ ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ ｉｔ ｆｏｃｕｓｅｄ ｏｎ ｕｎｉｆｉｅｄ ｄｒａｉｎ ｃｕｒｒｅｎｔ ｅｑｕａｔｉｏｎ ｏｆ ｐｏｌｙＳｉ ， ， ＴＦＴｓ ａｎｄ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｖｏｌｔａｇｅ ｅｑｕａｔｉｏｎ ｏｆ ＭＯＳＦＥＴ ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｓｈｏｒｔｃｈａｎｎｅｌ ｅｆｆｅｃｔ ｎａｒｒｏｗｗｉｄｔｈ ｅｆｆｅｃｔ ｄｒａｉｎ ， ｉｎｄｕｃｅｄ ｂａｒｒｉｅｒ ｌｏｗｅｒｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ ｔｈｅ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｓｔｒａｔｅｇｙ