MOCVD工艺中源材料用量计算方法 Calculating Method of Used MO and Gas Sources in MOCVD Process.pdfVIP

：兰曼堡型童蕉查： 。。晨暴础 胡晓宇，何华云，王慧勇 (中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南长沙410111) 摘要：介绍了MO源和气态源实际用量的计算原理与方法．井在中国电子科技集团公司第四十 八研究所研制的MocVD设备中应用：提出了提高MO源利用率、降低工艺成拳的三项措施。 关键词：MOCVD；斜率；恒温浴槽；MO源；利用率；反应器 中图分类号：TN304．02 文献标识码：B MethodUsedMoand Of Calculating GasSourcesinMOCVDProcess HU Hui—yong xiao-)Ⅵ，HEHua—yun，WANG 48lhResearch111雠imte 410lll，China) (The ofcETC，ch卸gsha Abstract：The andmethodofusedMoand sourcesisinn讪cedand calculating研nciple gas imple- mentediIlmeMoCVD the48thResearchh】st劬teofCETC，Threemetllodson systemsdevelopedby ofMOsoufcesand are the埘1izationratio cost impr0Ving reducingprocess prcsented． batll；MOsource；Utilization Keywords：MOCVD；Ramp；Thennos诅tjcratio；Reactor l 引言 有100多种，涉及ⅡI．v或Ⅱ．vI族金属有机化台 物。工艺中最常见的、用量撮大的MO源包括TM— 随着半导体照明产业的发展以及第三代宽禁 带材料在军事领域和高端民用领域中应用不断拓 等，其价格根据厂家、品种、纯度不同而相差悬殊， 展，MOcvD作为适应于大批量生产的外延设备，一般在1．5～20万美元他之间Ⅲ；载气通常用N： 在光电子领域(半导体照明；半导体激光器；红外、 紫外探测器；空间太刚能级联电池等)和微电子领 MO源瓶通常采用内部电抛光的316L不锈铡 ooO 域(HEMT、HBT、PHM器件；MESFET微波与毫圆形瓶，规格大约包括lOo～5g[2】，用户可以根 米波器件等)应用广泛，其需求在近几年持续增加。 据工艺中各种Mo源的实际用量进行选配。由于 MO源大都价格昂贵，源瓶的质量精确到小数点后 MOcVD设备的种类多种多样，使用的Mo源 收稿日期：2007．08．29 基金葫目：电子信息产业发展基金项目。 作者简介：胡晓宇(197l一)，男，湖南省湘潭县，高级工程师(高级程序员)，硕士，丰要从事半导体设备汁算机控制系统设计。 ③(总第153期)面目圆 万方数据 ．半导制造技术． ■j口蜥蝴壁