NMOS器件ESD特性模拟 Simulation of NMOS Transistor ESD Characteristics.pdfVIP

第8卷．第3期 电 子 与 封 装 总第59期 V01．8，No．3 2008年3月 ELECTRONICS＆PACKAGING ④)④③‘疆×爹⑤f影建) NMOS器件ESD特性模拟 郑若成1， 孙锋1， 吴金2 (1．无锡微电子科研中心，江苏无锡214035；2．东南大学集成电路学院，南京210096) 摘 要：NMOS管I—V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性，其维 持电压K、维持电流‘、触发电压％、触发电流毛以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件 电时的峰值电场、晶格温度以及K进行了模拟和分析。模拟发现，在ESD触发时，增加ESD注入工 艺将使结峰值场强增强，％减小、咋减小，晶格温度降低；器件沟长和触发电压K具有明显正相关 特性，但对K基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效，而电 场击穿引起的介质失效是次要的。 关键词：峰值场强；触发电压V。；维持电压VH；晶格温度；二次击穿电流 中图分类号：TN70 文献标识码：A 文章编号：1681-1070(2008)03．0018．04 ShnulationofNMoSTransistorESDCharacteristics ZHENG Jin2 Ruo-chen91，SUNFen91，WU MicroelectronicsResearch Circuits, (1．Wuxi Institute，Wuxi ofIntegrated 214035，China；2．Institute Southeast 21 University，Nanjing0096，China) have on NMOStransistor characteristicsbeenobservedthe I-VcurveswhenanESD Abstract：Snapback currentis NMOStransistorESDcharacteristicswouldbeaffected (electrostaticdischarge)pulsetriggered．The by such asthehold current currentand breakdown parameters voltage％，holdIH，triggervoltage％，triggerIB secondary and theSILVACO device electric current．Byusing process simulator,thepeak field,latticetemperatureprofile and％ electrostatichavebeensimulatedand forNMOStransi