MOVCD生长GaAsAlGaAs量子阱红外探测器的暗电流特性 Analysis on Dark Current Characteristic of GaAsAlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors Grown by MOVCD.pdfVIP

半《导体光电~2012年12月第33卷第6期 胡小荚等：MOVCD生长GaAs／AIGaAs量子阱红外探测器的暗电流缱I胜 MOVCD生长 GaAs／AIGaAs量子阱红外 探测器的暗电流特性 胡小英 ，刘卫国 ，陈智利 I1．西安 电子科技大学 微 电子学院。西安 710071；2．西安工业大学 光 电工程学院，西安 710032) 摘 要： 用金属有机物化学气相沉积法 (MOCVD)生长 了GaAs／AlGaAs量子阱材料，分别 制备 了300 m×300 m 台面，峰值波长 8．5 m，外电极压焊点面积 80 m×8Ogm，内电极压焊点 面积 2O m×20 m的单元测试样品。用变温液氦制冷机测试系统对两个样品进行 50～300K的 变温测试 ，分析 了器件在不同偏压条件下的暗电流特性。发现该量子阱红外探测器的背景 限温度 为 5OK。不同生长次序 中GaAs与 AlGaAs界面的不对称性 ，以及掺杂元素的扩散导致 了正 负偏 压下的 ／V 曲线呈不对成性。探测器电极压焊点面积大小与位置的不同对暗电流有一定的影响。 关键词： 量子阱红外探测器 ；MOVCD；暗电流特性 中图分类号：TN215 文献标识码 ：A 文章编号：1001—5868(2012)06—0809—04 AnalysisonDarkCurrentCharacteristicofGaAs／AIGaAsQuantumWell InfraredPhotodetectorsGrownbyM OVCD HU Xiaoying ，LIU W eiguo”，CHEN Zhili (1．SchoolofMicroelectronics，Xi’dianUniversity，Xi’an710071，CHN； 2．SchoolofOptoelectronicEngineering，Xi’anTechnologicalUniversity，Xi’an710032，CHN) Abstract： GaAs／A1GaAsquantumwellinfraredphotodetectorswiththepeakwavelengthof 8．5／zm weregrownbyMetalChemicaIVaporDeposition (MOVCD)．Twosampledeviceswere obtainedwithalargeareaof300 m ×3OOpm andthepressureweldingareaof80 m ×80 m and 2O m × 20 m for theoutside electrodeand the insideelectrode respectively．Refrigerating machineofliquidhelium wasadoptedtomakevariable—temperaturetestsfrom 50K to300K，and thedarkcurrentcharacteristicswereanalysedunderdifferentbiasvoltages．Testsresultsindicate thebackground limitedtemperatureofthesamplesis50K．Itisthe interracialasymmetryof GaAsandAIGaAsindifferentgrowingorderandthedopingelementdiffusion thatleadstothe asymmetryofthel?v curveunderpositiveandnegativebias．Thedifferentpressureweldingarea andpositionoftheelectrodesmayinfluencethedarkcurrent． Kelywords： quantum wellinfraredphotodetectors；M OVCD；darkcurrentcharacteristics 0 引言