PECVD沉积双层SiNx对太阳电池性能的影响 Influence of Double-Layer SiNx Thin Film Deposited by PECVD on Cell.pdfVIP

半导体先进制造技术 AdvancedSemiconductor ManufacturingTechnologies DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．03．007 太阳电池性能的影响 PEC．VD沉积双层SiN戈对 凡金星1，施正荣1’2…，张光春1’2…，杨健2，陈如龙2，李果华1，3 (1．江南大学理学院，江苏无锡214122；2．无锡尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡214028； 3．江苏省(尚德)光伏技术研究院，江苏无锡214028) 摘要：提出了一种简单有效的制备双层SiN。薄膜的方法，其薄膜具有良好的减反射钝化特 型多晶硅衬底上生长单层及双层SiN，膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜的厚度、折射率及 反射率，并用SemilabWT一2000测量少数载流子寿命，通过测量量子效率，对单、双层膜电池 进行了比较。实验结果表明：相比单层减反射钝化膜，采用双层SiN，膜，少数载流子寿命可以得 到更好的改善，开路电压可提高约2mV，短路电流可提高约40mA，电池效率能提高0．15％。 关键词：双层SiN。；等离子体增强化学气相沉积；减反射膜；太阳电池；少数载流子寿命 中图分类号：TM914．4文献标识码：A Influenceof Film Double．LayerSiN，Thin PECVDonCell Depositedby Fan Jinxing1，ShiZhengrong1，2…，ZhangGuangchun‘·2…， Guohua‘’。 Jian2。ChenRulon92，Li Yang SuntechPower (1．School 214122，China；2．WuxiCo．Ltd·，Wuxi214028，China； ofScience，JiangnanUniversity，Wuxi Photovoltaic 3．Jiangsu(Suntech)InstituteforTechnology，Wuxi214028，China；)， effectivetofabricatethe silicon films Abstract：A way double—layernitride(SiN，)thin simple were which thebetter of andanti—reflection presentedprovided qualitiespassivation properties．The filmswere on silicon PECVD and wafers single—layerdouble—layerSiN。thin depositedPtype using by the and ratio．Thereal indexandreflectionindexwere gas