PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术 The Co-evaporation Technology of Ohmic Contact in GaAs PHEMT.pdfVIP

第7卷，第11期 电子与封装 总第55期 V引7No11 2007年11月 ELECTRONICSPACKAGING 臌 电 子 制 造 与 可 靠。一性j PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术 贾洁，郑华，耿涛，黄念宁 (南京电子器件研究所，南京210016) 摘要：近年来，砷化镓器件的发展极为迅速。其中，欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一。 PHEMT 为了提高GaAsPHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平，文章比较了三种常见的GaAs 器件欧姆接触制备技术的差异，分别是：分层蒸发、溅射+蒸发、双源共蒸。通过传输线模型 (TLM)法测试数据以及微细形貌分析，得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综 合特性最佳，因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAsPHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性。 关键词：GaA8；PHEMT；欧姆接触；双源共蒸 中图分类号：TN405 文献标识码：A The ohmicContactinGa舳PHEMT Co-eVaporati佃TeclIIlolo舒of J队Jie，Z如!NG}lua，GENGTao，HUANG Nian-ning EZecfrD，lfc (．№，蔓，f，zg DeVfcPs砌s“nl把，Ⅳ以，蔓，ing210016，C矗in口) Abstract：GaAsPHEMT fast．Andoneofthemost istheohmiccontact deVelpsVery importanttechnology orderto ohmiccontact 1eVelofGaAs different pe渤rIIlace．InimproVe pe墒manceand训ability PHEMT，three mannerstoobtainohmiccontactsinGaAsPHEMTare inthis mannersare comparedpaper．These layered and fromTLMmeasurementsandSEM eVaporation，spattereVaporationCo—eVaporation．Deduced the toform in obserVations，the is better ohmiccontact sizewafermanufactories co-eVaporationpath large comprehensiVely． Keywords：Gns；PHEMT；ohmiccontact；co—evaporation 影响着电路性能的一致性与成品率，所以欧姆接触的 1 引言 制作是器件研制的关键工艺之一。