PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究 The Study on the Resistivity Transformation in the V-doped SiC by PVT Process.pdfVIP

团■j‘ 蚕 蠢 鱼鱼茎茎塑鱼鱼 PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率 变化规律研究 洪 颖，冯 玢，王 磊，吴 华，郭俊敏，杜 萍 (中国电子科技集 团公司第四十六研究所，天津300220) 摘 要 ：在采用COREMA 方法测试 SiC晶片电阻率时发现 同一晶片电阻率相差较大．主要体现 在高阻(10n·cm量级)和低 阻(10量级)并存 ，有 的甚至超高阻(10 量级)和低 阻并存 ， 针对这一测试结果 ，开展 了相关的实验研究，SiC单晶半绝缘性能的实现是通过在单晶生长过程 中掺入深能级杂质 V来补偿 浅施主N和浅受主 B，利用二次质谱 (SIMS)对 同一晶片不同区域的 杂质元素V、N和 B含量进行测试 ，结果发现晶片中v和N 的含量都在 l×l0 量级时会 出现同 一 晶片不同区域 电阻率相差较大的情况 ，而 当V含量在 1×l0”量级 ，N含量在 5×10 量级 以下 时，可制备电阻率均匀性好的半绝缘 SiC单 晶。 关键词 ：SiC；电阻率；均匀性；COREMA：SIMS 中图分类号 ：TN304．053 文献标识码 ：B 文章编号 ：1004—4507(2012)06—0031．04 TheStudyon theResistivityTransformation inthe V-dopedSiC byPVT Process HONGYing，FENG Bin，WANGLei，WU Hua，GUOJunmin，DUPing (The46ResearchInstituteofCETC，Tianjin300220，China) Abstract：W efoundthattheresistivityofSiC varieswidely inthesamewaferwith differentareas duringmeasuredbySemiMapCOREMA-WT (contactlessresistivitymapping)，thevaluesmaybe below 1×1O Q ·cm ，between 1×10 ～1×1O Q ·cm ，andover1× 101n ·cm．Asweknow，the vanadium actasdeepacceptortocompensatealldonornitrogenandboronimpuriyt，thenSI—SiCcan beobtained．Secondaryionmassspectroscopy (SMIS)wasusedtodeterminetheimpuritiesofboron， nitrogenandvanadium whichplayan importantrole in temr sofresistivity．Asaresult，when the concentration ofthevanadimu andnitrogen was l×10 cm一，theresistiviyt ofthewaferwith differentareasmaybevary widely，butwhentheconcentrationofthevanadium was1×10 cm0，and theconcenrtationofthenitrogenwaslower5×10 cm 3，SI—SiC withhigl1resistiviyt uniofrmiyt can beobtained． Keywords：Siliconcarbide；Resistiviyt；Uniformiyt；COREMA；SMI S 收稿 日期 ：2012．06．05 材料制备工艺与设备 电 子 工 业 毫 用 设 苗 ● 碳化硅单晶是 目前最具有发展前途的宽禁 采用高纯的石墨材料做坩埚，高纯碳化硅粉作为 带半导体材料 。由于高 电