Parylene高频电路防护工艺研究进展 The Development for Parylene Applied in High Frequency Circuit as A Passivation Layer.pdfVIP

电子工艺技术 272 E 墨 旦墨墨 QQg 2011年9月 第32卷第5期 Parylene高频电路防护工艺研究进展 仝晓刚 (中国电子科技集团公司第十研究所，四川 成都 610036) 摘 要：从前处理、升华温度、裂解温度、沉积压力、基体温度和膜层厚度等方面讨论~ParyleBe处理技 术在国内外高频电路防护方面的应用概况。重点介绍了这些工艺要素与Parylene膜层性能的相关性 ，并指出了 膜层厚度及均匀度是影响高频电路防护的关键因素，膜层厚度需要通过试验进行确定，简要论述了Parylene膜 层的沉积机理与Parylene处理技术在毫米波电路防护上应用的工艺流程。同时指出了Parylene处理技术在高频电 路防护应用中存在的不足之处，为以后的研究指明了方向。 关键词：Parytene；电路防护；化学气象沉积；沉积压力 中图分类号：TN605 文献标识码：A 文章编号：1001—3474(2011)05—0272—05 TheDevelopmentforParyleneAppliedinHighFrequencyCircuit asAPassivationLayer TONGXiao-gang IThe10thinstituteofChinaelectronictechnologyCorporation，Chengdu610036，Chinal Abstract：DiscusstheapplicationofParyleneinHighFrequencyCircuitasaprotect-ionlayer,includingpreparation process，sublimationtemperature，pyrolysistemperature，depositionpressure，basetemperatureandthefilm thickness．The relativityofprocesselementsandfilmisintroduced．Putforwardfilmthicknessanduniformarethekeyfactorsofhighfrequency protection．Thefilmthicknesscoulddeterminebytheexperiment．ExpoundthemechanismofParylenedepositionandtheprocess flow inmillimeter-wavecircuit．Finally,theshortageofParyleneusedinhighfrequencycircuitandthenewresearchpointswas proposed． Keywords：Parylene；Circuitprotection；Chemicalvapordeposition；Depositionpressure DocumentCode：AArticleID：1001．3474(2011105．0272．05 Parylene是聚对二甲苯的统称，目前 已经商业化 首次研究了ParyleneN在40GHz电路上的防护性能， 且应用较为广泛的包括ParyleneC (1C1取代基 )、 结果表明，在环形腔和共面波导传输线上，lO m的 ParyleneD (2CI取代基 )和ParyleneN (无取代基 )。 膜层的插入损耗为0．007dB／mm，频率漂移低于1％， 由-J~Parylene具有优异的水汽阻隔性能、物理机械性 5 m的膜层对插入损耗没有影响，其频率漂移低于 能、电气性能和防腐蚀性能而被广泛应用在高频电 0．05％L5】。HasanSharifi等把精度为5 m土0．1 m的 路防护上 ¨J。国内目前对Parylene在电路上的防护 ParyleneN应用在40GHz