SIPOS薄膜工艺及其稳定性研究 SIPOS Process Technology and Stability.pdfVIP

第9卷，第7期 电子与封装 总第75期 V01．9。No．7 2009年7月 ELECTRONICSPACKAGn、『G 徽 电 子 嗣 遗 与 可 靠 住 SIPO S薄膜工艺及其稳定性研究 魏敦林 (东南大学Ic学院，南京210096) 摘要：SIPOS半绝缘多晶硅薄膜在分立式器件特别是一些高压器件的钝化中有着广泛的应用，其 不仅能够提升器件的反向击穿电压，而且也极大地提高了器件的可靠性。文章阐述了SIPOS薄膜 的器件钝化机理，工艺过程中各参数对薄膜特性及应用的影响。同时通过实验设计DOE对LPCVD (化学气相沉积)系统的各个参数进行工程实验，分析了相关参数对薄膜沉积速率及特性的影响， 并通过对实验结果的模型推导，得出相关工艺参数与产品电学性