SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应 Substrate Assisted Depletion Effect in SJ-LDMOST.pdfVIP

SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应 SubstrateAssistedDepletionEffectinSJ-LDMOST 成建兵 南京邮电大学微电子系 （江苏南京210046） 摘要：本文分析了SJ-LDMOST中衬底辅助耗尽效应的产生机理。文中将业 界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类，并提出消除衬底辅助耗尽 效应的途径。 SJ-LDMOST；功率集成电路；衬底辅助耗尽效应；击穿电压 10.3969/j,issn.1005-5517,2011.11.006 江苏省自然科学基金资助(BK2011753) @@ [1]J.AAppels,H.M.J, Vaes.Highvoltagethinlayerdevices (RESURFdevices).IEDM,1979:238-241 @@ [2]C,Hu.Optimumdopingprofileforminimumohmic resistanceandhigh-brrakdownvoltage.IEEETransactions onElectronDevices,1979,26(3):243-244 @@ [3]X.B.ChenandJ.K O.Sin.OptimizationoftheSpecific On-Resis