磁环抑制特高压gis设备中特快速暂态过电压的模拟试验 simulation test on suppressing vfto in uhv gis with magnetic-rings.pdfVIP

磁环抑制特高压gis设备中特快速暂态过电压的模拟试验 simulation test on suppressing vfto in uhv gis with magnetic-rings.pdf

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磁环抑制特高压gis设备中特快速暂态过电压的模拟试验 simulation test on suppressing vfto in uhv gis with magnetic-rings

高电压技术第37卷第3期2011年3月31日 31。2011 65l HighVoltageEngineering.V01.37.No.3,March 磁环抑制特高压GIS设备中特快速暂态过电压的模拟试验 关永刚1,张 猛2,岳功昌1,张希捷2,刘卫东1 (1.清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室,北京100084; 2.西安西电开关电气有限公司,西安710077) 摘要:为抑制特高压气体绝缘组合电器(GIS)设备中特快速暂态过电压(VFTO)提出了采用磁环抑制的方法, kV 并进行了模拟试验。利用252 GIS设备构建试验系统,利用SF。气体间隙在50、75和100kV的电压等级下击 穿产生高陡度的行波,测试了不同长度的R2KB铁氧体磁环串和FJ37非晶磁环串对电压行波幅值和陡度的抑制 效果。试验表明.只要磁环串的长度O.5m。其对于电压行波幅值的抑制效果将不再随磁环串长度的增加而发生 显著变化,但行波上升时间将随磁环串长度的增加而增加;在磁环串长度≥lm的情况下,铁氧体磁环对于电压行 波的综合抑制效果优于非晶磁环。试验表明,采用磁环抑制特高压GIS中VFTO的方法在原理上是可行的。 晶材料 中图分类号:TM595;TM27;TM862文献标志码:A 文章编号:1003—6520(2011)03—065卜07 SimulationTeston VFTOinUHVGISwith Suppressing Magnetic—rings GUAN Yong-gan91,ZHANGMen92,YUEGong-chan91,ZHANGXi-jie2,LIUWei—don91 and (1.State ofControlSimulationofPower andGeneration KeyLaboratory Systems Equipments, ofElectrical 100084,China; Department Engineering,TsinghuaUniversity,Beijing 2Xi’anXD Electric Co.,Ltd.,Xi’an710077,China) Switchgear Abstract:Anfor VFTOinUHVGISwith was aseriesofsim— approachsuppressing magnetic-ringspresented.and ulationtestswerecarriedOUt.Thetest wasconstructedwitha252kV wavewith system GIS,andtravelling high was aSF6 testsunder50 kVand100kVwere tO steepnessgeneratedby gasgap.The kV。75 implementedverify the effectsofR2KBferriteand withdifferenttOthe FJ37 magnetic-rings le

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