关于ZnO薄膜应用的文献调研报告.ppt

引言： 以硅为代表的第一代半导体和砷化镓为代表的第二代半导体的发展,导致了微型计算机、集成电路的出现和整个信息产业的飞跃,促成了信息高速公路的崛起和社会的信息化。宽禁带半导体作为第三代半导体,在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显的优势,其继续发展必将极大地改善人们的生活 ZnO薄膜应用还存在的问题 目前制备ZnO薄膜的质量还有待进一步提高 关于ZnO深能级的发光机理还没有统一的说法（氧空位，反位氧和颗粒的表面缺陷） 没有广泛认可的重复制备P型ZnO的方法和技术 氧化锌光电子器件进入实用，走入市场还需要从浅受主设计方案和新的掺杂技术突破来实现高迁移率，高载流子浓度的P型掺杂。 一种极具应用前景的半导体材料 关于氧化锌薄膜的文献调研报告 ZnO薄膜材料的独特性质 * 1 宽禁带（3.37eV） 2 高激子束缚能（60meV） 3 高电阻率以及单一的C轴取向生长 4 电阻率易受表面吸附气体影响 ZnO的晶体结构 * 由于氧化锌体材料中缺陷较多，一般在应用中通常将ZnO制作成外延薄膜或低维量子结构来提高晶体质量和激子束缚能。 SHEN De-zhen. Chinese Journal of Luminescence(2014) ZnO薄膜的应用 * 太阳能电池 高效率紫外探测，发光和激光器件 表面型气敏元件 由于氧化锌具有优异的光学和电学特性，具备了发射蓝光或近紫外光的优越条件。氧化锌薄膜的高电阻与单一的C轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数，可用于各种压电和光电器件。 * 掺杂的ZnO薄膜作为Cu(InGa)Se2电池的窗口材料 K. Kushiya Solar Energy (2004) 在Si基太阳能电池中作为透明电极 W. Beyer et al. Thin Solid Films (2007) 太阳能电池 * a)异质结紫外探测器I-V特性 b)-2V偏压下的光响应谱 Zhang T C. et al. Appl. Phys. Lett. 2009 ZnO/ MgO/ Si 异质结构探测器 异质结紫外探测器 ZnO薄膜电致发光谱图（本征发光） 电致发光器件 器件中绝缘的势垒层能够对ZnO 的载流子起到很好的限制作用,从而获得源自ZnO 的本征紫外发射（SiO2作为势垒层）。 Chen P, et al. Appl. Phys. Lett.2007 Co气体传感器 Mohini Dwivedi. IEEE SENSORS JOURNAL(2014.5) 气敏传感器 Elvira M. C Appl. Phys. Lett., 2004 薄膜晶体管（TFT） 在室温下沉积薄膜 小结: * 1 ZnO作为一种半导体材料性质优异。 2 通过掺杂可以极大地提高ZnO薄膜的质量。 3 ZnO薄膜在光电声方面均有广泛的应用。 。。。。 * * * 脆弱性检测技术 及时检测出系统的脆弱性并进行修补，降低安全危害； 检测速度慢、检测面窄。 恶意代码检测技术 识别出目标系统存在的恶意代码的特征和位置； 高误报率和漏报率、特征库难以建立。 防火墙技术 在已授权和未授权通信实体之间做出判断； 旁路攻击、内网攻击、DOS攻击、策略配置不当。 入侵检测技术 及时检测并消除入侵； 漏报率高、误报率高、报警信息量大。 信息安全风险管理技术 帮助管理员准确掌握网络的风险状况，找出风险最大的环节予以防范； 过程复杂、主观性强、评估结果粗糙、评估周期长。 * *