不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响.PDFVIP

半导体学报 V01．28 第28卷增刊 Supplement 2007年9月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCTORS Sep．，2007 不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响* 张攀峰’ 魏鸿源 范海波丛光伟 杨少延朱勤生 刘祥林 (中国科学院半导体研究所材料重点实验室，北京100083) 摘要：在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜．用x射线双晶衍射(DCXRD)、扫描 电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征．证实了，面蓝宝石的表面能比c面的小，更有利 于增原子的迁移，从而实现ZnO的二维生长．发现甲醇作为氧源生长的薄膜晶体质量跟氧气作为氧源的相比有较 大提高，这可能源于预反应的减弱和甲醇的表面活化作用．在r面蓝宝石上用甲醇作为氧源生长出了表面平整的 ZnO薄膜，其(1吨)面的非对称衍射的摇摆曲线半高宽仅0．10。． 关键词：ZnO蓝宝石；甲醇；XRD；SEM PAOC：6855；8115H}7360F 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)SO·0289—04 中图分类号：TN304．055 多，预反应能大为降低，可能能有效提高薄膜的质 1 引言 量． 根据以上的考虑，我们在自行设计制造的低压 作为一种宽禁带半导体材料，ZnO在室温下的 分别作为锌源和氧源来制备ZnO薄膜，以检验此思 禁带宽度是3．37eV，激子束缚能高达60meV，远大 于GaN的激子束缚能(26meV)．这些性质使得路的正确性．本文报道了用X射线双晶衍射 ZnO在短波长发光器件方面如LEDs，LDs具有很 大的发展潜力，成为宽禁带半导体领域的又一大研 (AFM)对ZnO薄膜综合表征的结果． 究热点‘1’． 目前，ZnO材料的制备方法得到很大的发展， 2 实验 有磁控溅射、脉冲激光沉积(PLD)、金属有机化学气 图1是自行设计制造的ZnO基材料MOCVD 相沉积(MOCVD)[2|、分子束外延(MBE)等．其中 MOCVD法具有可以大面积生长、原子组分容易控设备反应室的示意图．采用喷管将Zn源输运到衬 制和适于工业生产等优点，是一种有前途的生长高 底的一侧上方，o源从上气罩直接往下喷，两者在衬 质量ZnO薄膜的外延技术[2]．许多研究组在Si，底上方混合向衬底扩散．该系统采用无极变速高速 旋转的衬底座，旋转速度可在0～800r／min内变 SiC，GaAs，CaF2，ScAlM904，蓝宝石等衬底上已经 化．经过高速旋转，ZnO薄膜的均匀性大为提高．材 成功制备出ZnO薄膜[3~7]．其中，蓝宝石由于其较 高的晶体质量、适中的价格被广泛用做ZnO薄膜的 料生长在10kPa的低压下进行，用Oz或甲醇作为 。源，DEZn作为锌源，用高纯Nz作为载气，在直 外延衬底．经研究发现，(0001)面由于表面能比较 大，一般都是三维生长模式，结晶较好的薄膜都只能 径50ram的蓝宝石衬底上沉积ZnO薄膜．衬底放 是C轴高度取向，而且不容易形成平整的单晶薄 在包有BN的石墨基座上，利用高频感应法对石墨 基座加热，最高加热温度可达950℃．DEZn和甲醇 膜．非极性面的蓝宝石，例如a面(1120)和，面