摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性.pdf

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 年 月 摄动法研究纳米 亚阈值特性 代月花 陈军宁 柯导明 安徽大学电子科学与技术学院合肥 摘要采用了一种新的方法研究纳米金属 氧化物 半导体场效应管 的亚阈值特性即正则摄动法 由 于在纳米 中常用的耗尽近似和页面电荷模型 不再适用导致泊松方程由线性变 成非线性形式 利用正则摄动法求解非线性泊松方程可以得到纳米 亚阈值电流和亚阈值摆幅指数依赖 外加偏压的解析表达式 通过与二维器件模拟软件 模拟结果比较证明了该方法及结果的有效性 关键词正则摄动表面势亚阈值摆幅纳米 中图分类号 文献标识码 文章编号 可动的电离杂质决定即做了耗尽近似假设 另一方 引言 面由于强反型之前表面处的电场比较弱自由载 流子分布得比较散反型层就相对展开得比较宽这 随着 工艺技术的发展 的栅 样页面电荷模型就不够准确特别是对纳米 长已减小到纳米量级并且工作电压正向 推 器件而言 进 目前 的亚阈值行为倍受关注特别是 为了正确地为纳米 亚阈值特性建立