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* Anhui University of Technology Materials Physics Properties * 第二章 材料的导电性能 2.3 电子电导 2.3 电子电导 电子电导的载流子是电子或空穴 (即电子空位)。 能带理论指出，在具有严格周期性电场的理想晶体中的电子和空穴，在绝对零度下运动时不受阻力，迁移率为无限大；只有当周期性受到破坏时，才产生阻碍电子运动的条件。 在电子电导的材料中，电子的非弹性碰撞引起电子波的散射是电子运动受阻的原因。 无机材料中电子电导比较显著的材料主要是半导体材料。 从载流子的迁移率以及浓度两个方面讨论电子电导问题和半导体材料的电导。 本节内容 本小节内容 电子迁移率 载流子的浓度 电子电导率 一、电子迁移率 1. 迁移率的基本表达式 2.3 电子电导 由经典力学，在外电场E的作用下： ? 金属中自由电子的加速度：a = eE/me (me为电子质量) ? 电子每两次碰撞之间的平均时间2? ； ? 松弛时间?，与晶格缺陷和温度有关，温度越高，晶体缺陷越多电子散射几率越大，?越小； ? 自由电子的平均速度：v = ?eE/me ； ? 自由电子的迁移率： 式中：m*为电子的有效质量，对于自由电子，m*＝me，对晶体中的电子，m*与me不同， m*决定于能态 (电子与晶格的相互作用强度，有效质量m*已将晶格场对电子的作用包括在内)。 由量子力学，晶格场中的电子迁移率可表示为： 电子和空穴的有效质量的大小由半导体材料的性质所决定。所以不同的半导体材料，电子和空穴的有效质量也不同。 2. 电子载流子的散射机制 平均自由运动时间的长短由电子的散射强弱来决定。散射越弱，?越长，迁移率也就越高。掺杂浓度和温度对电子迁移率的影响，本质上是对载流子散射强弱的影响。 两大主要散射机制为： (1) 晶格散射 温度越高，晶格振动越强，对载流子的晶格散射也将增强。在低掺杂半导体中，迁移率随温度升高而大幅度下降。 散射：电子与晶体中的声子、杂质离子、缺陷等发生碰撞的过程。 (2) 电离杂质散射 由电离杂质产生的正负电中心对载流子有吸引或排斥作用，当载流子经过带电中心附近，就会发生散射作用。在高掺杂半导体中，迁移率随温度变化较小。 部分无机材料在室温下载流子的近似迁移率（cm2/(sV)） 二、载流子的浓度（以半导体为例） 1. 晶体的能带结构 2.3 电子电导 （1）能带的形成 a、主量子数n，n = 1, 2, 3, 4, ……，对应K、L、M、N等电子壳层，是决定电子能量的主要参数； b、角量子数l，l=0, 1, 2, ……, n-1，代表不同角动量的电子轨道，分别用s、p、d、f表示； c、磁量子数ml，ml＝0, ±1, ±2, ……, ±l，决定轨道角动量在空间的分布； d、自旋量子数ms，取＋1/2和－1/2两个值，决定电子自旋角动量的只能方位。 在孤立的原子中，电子只有占据一定的能级，这些能级由四个量子数确定 若一个晶体由N个相同原子构成，当这N个原子都是孤立状态时，则这些原子中具有相同量子数的电子都在同一能级，因此能级都是N度简并（这里未考虑各原子中电子的简并）。 原子中的电子总是首先占据能量最低的轨道。根据泡利不相容原理，对应一定的n，l，ml和ms数值的一个电子态，只能容纳一个电子。， 对于孤立原子，电子能级主要由n，l决定，对不同的ml和ms 能级可看作是简并的，即具有相同n和l的电子，能量相同。， 当原子靠近形成晶体时，在本身原子和相邻原子的共同作用下，电子不再是属于各个原子，而成为晶体中原子所共有，这种情况称为电子的共有化。 电子的共有化，使得单个原子的电子能级分裂成一系列相互之间能量差极微的能级，即形成了能带。 当不考虑电子自旋时，s能级没有简并，当N个原子结合成晶体后，由s能级分裂成的能带共有N个能级，能容纳2N个电子；对于p能级是三度简并的，因此形成的能带有3N个能级，可容纳6N个电子。 若一块纯净无缺陷的硅单晶中有N个原子。在绝对零度、无外界影响的条件下，4N个价电子把价带中的所有能级全部填满，则称为满带；而导带中具有的可容纳4N个价电子的能级中，却是一个价电子也没有，故称为空带。在满带和空带之间不存在能级，这一能量区间称为禁带。 价电子的共有化运动使得3s和3p能级分裂成满带和空带。 硅共价晶体能带图的演变过程 P80 金属、半导体和绝缘体的能带结构 EC EV EF EV EF EC EC EV EC EV （2） 导体、半导体和绝缘体的区别 根据