普实鸿飞.PDF

PS HI 25W ；PS HI 25F 一，极限参数（T a = 2 5 ℃） 符号 含义 数值 单位 VS 原边电压 18 V V V +0.3 V iH 输入信号高电平 S IoutPEAK 输出峰值电流 15 A IoutAV 输出平均电流 100 mA V IGBT CE 1700 V CE ， 极电压 dv/dt 电压变化率 75 kV/μs V (1 , ) 4000 V isol IO 输入输出隔离电压 分钟交流 RGon min 最小门极开通电阻 1.5 Ω RGoff min 最小门极关断电阻 1.5 Ω Qout/pulse 充电电荷 10 μC 普实鸿飞 PSHI 25W -25 ~ +85 工作温度 （ ） Top PSHI 25F 0 ~ +70 ℃ 工作温度 （ ） PCB IGBT Driver PSHI 25W -25 ~ +85 储存温度 （ ） Tstg ℃ PSHI 25F 0 ~ +70 储存温度 （ ） PSHI 25W 二，电气参数（T a = 2 5 ℃） PSHI 25F 符号 含义 数值 单位 双路智能大功率IG BT 驱动器 最小 典型 最大 VS 原边电源电压 14.4 15 15.6 V IS 原边电源电流最大值 0.701) A 产品特点 ISO2) 原边电源电流最小值 0.175 A PSHI 25可驱动全系列1700V IGBT VIT+ 输入高电平门槛 12.9 V PSHI 25W具有电缆信号连接 VIT- 输入低电平门槛 2.1 V PSHI 25 F具有光纤信号接口 Rin 输入阻抗 10 kΩ 工作模式可选择半桥模式或两个单路模式 VG(on) 门极开通电压 +15 V ■输入可兼容CMOS （＋15V ）电平 VG(off) 门极关断电压 -8 V ■通过检测V 提供短路保护 CE f 最大开关频率 见图1 ■发生短路时，具有软关断功能 td(on