原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
AlGaNGaN高电子迁移率晶体管解析模型
第 期 电 子 学 报
2 3#1;; %#12
年 月
2++ 2 !@:! 8d8@:,]%e@! Ae%e@! B_)1 2++
高电子迁移率晶体管解析模型
!#$% #$%
杨 燕 王 平 郝 跃 张进城 李培咸
’ ’ ’ ’
西安电子科技大学微电子所 陕西西安
( ’ )*++)*,
摘 要 基于电荷控制理论 考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 建立了能精确模拟 高电子
- ’ ’
!#$% #$%
迁移率晶体管直流 特性和小信号参数的解析模型 计算表明 自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤
1 ’
/
.0
为显著 栅压下 栅长为 的 获得的最大漏电流为 降低寄生源漏电阻可
’2 ’ * +12 +16 *;)+
3 45 ! #$ % #$% 789: 5! 55
以获得更高的饱和电流 跨导和截至频率 模拟结果同已有的测试结果较为吻合 该模型具有物理概念明确且算法简
= 1 ’
单的优点 适于微波器件结构和电路设计
’ 1
关键词 高电子迁移率晶体管 解析模型 极化效应 寄生源漏电阻
-
!#$% #$%
中图分类号- :%;2 文献标识码- ! 文章编号- +;)2/2**2(2++,+2/+2+/+?
@ABCDEFGBCHIJKCLIM@CNBO NBOPFQRSCKGEMIAHITFCFEDUMBAVFVEIM
’ ’ ’ / ’ /
W!%# W$X Y!%# Z[X\ 7!] W^_‘7!%# a[Xbc_X\ deZ_[f[$X
( 1 ’ ’ ’ )*++)*’ ,
ghihjklm.niopqrslkphthlokpnsliusvsjnwnsxhkisoy uszjn {mjjn|s }msnj
- ’ /
@TVEMBGE ~$!_#X
文档评论（0）