InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究.pdf

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．64，No．15(2015) 154217 Ino．53Gao ． 47As／InP 阱与体材料的1MeV 电子束辐照光致发光谱研究冰 玛丽娅 )2) 李豫东 ) 郭旗 )十 艾尔肯 ) 王海娇 )2) 汪波 )2) 曾骏哲 )2) 1)(中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院新疆理化技术 研 究所，乌鲁木齐 8300111 2)(中国科学院大学，北京 100049) (2014年 12月29日收到；2015年1月30日收到修改稿) 为获得对Ino．53Ca0．47As／InP材料在电子束辐照下的光致发光谱变化规律，开展了1Mv电子束辐照试 验，注量为 5×10 一9×10Mcm_。．样品选取量子阱材料和体材料，在辐照前后，进行了光致发光谱测试， 得到了不同结构Ino．53Cao．47As／InP材料在 1Mev电子束辐照下的不同变化规律；对比分析了参数退化的物 理机理．结果显示：试验样品的光致发光峰强度随着辐照剂量增大而显著退化．体材料最先出现快速退化，而 五层量子阱在注量达到6×10l4am 时，就已经退化至辐照前的9％．经分析认为原因有：1)电子束进入样 品后，与材料晶格发生能量传递，破坏晶格完整性，致使产生的激子数量减少，光致发光强度 降低；电子束辐 照在材料中引入缺陷，增加了非辐射复合中心密度，导致载流子迁移率降低．2)量子阱的二维限制作用使载 流子运动受限，从而能够降低载流子与非辐射复合中心的复合概率：敏感区域截面积相 同条件下，体材料比量 子阱材料辐射损伤更为严重．3)量子阱的层数越多，则异质结界面数越多，相应的产生的界面缺陷数量也随 之增多，辐射损伤越严重． 关键词：Ino．53Gao4．7As／InP，量子阱，电子束辐照，光致发光谱 PACS：42．88．+h，78．67．一n，61．82．一d，61．80．—x DOh 10．7498／aps．64．154217 行轨道主要为范艾仑辐射带，它是地球磁场俘获宇 l 引 言 宙射线中的带电粒子形成的磁致浓缩区，以电子束 和质子束为主．研究辐照效应对量子阱材料光学性 低维半导体材料在新型半导体器件开发上具 质的影响，直接关系着半导体激光器等众多其他光 有广阔的应用前景，近年来一直是半导体科学技术 电器件在空间技术中应用的稳定性和寿命．对量子 领域的研究热点．量子阱材料适合于制作低阂值、 阱材料辐照效应国内外 已开展不少研究工作． 窄谱线的发光器件_1J．InGaAs／InP系体材料和量 Leon等研究了InGaAs／GaAs量子阱和量子 子阱、超 晶格材料是制作激光器、调制器和光波导 点在 1．5MeV质子辐照下的光致发光谱，观察到 器件的基本材料 2【]．具有重要的应用前景．与InP 了在低注量下InGaAs／GaAs量子点的PL增强现 匹配的In0．53Gao．47As的室温禁带宽度为0．75eV， 象[6]．Aierken等研究了v射线和电子束辐照下的 可以制作石英光纤最低损耗和最低色散波段工作 InGaAs／GaAs量子阱和量子点材料的光致发光谱 的光探测器 [3-5]．而对空间应用的光 电器件来说 和时间分辨光致发光谱，发现经辐照后所有样 品的 空间辐射环境是所面临的最大威胁．在人造卫星运 光致发光强度和载流子寿命都呈现衰降的现象 7【]： 国家 自然科学基金 (批准号资助的课题 t通信作者 ．E-