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磁膜-衬底悬臂梁系统中薄膜应力与应变分析1
那日苏,云国宏
内蒙古大学理工学院,呼和浩特 (010021 )
E-mail :ghyun@
摘 要:利用四参量能量极小化方法求解了任意薄膜/衬底厚度比悬臂梁系统的弯曲问题。
在此基础上重点分析了磁膜应力和应变与构成悬臂梁的两种材料的几何参数和物理参数的
关系,给出了这些参数对磁膜-衬底悬臂梁系统的中平面等弯曲特性的影响。计算结果表明
中平面在一般情况下是各向异性的,且随着磁膜厚度的增加中平面迅速下降。磁膜应力随着
膜厚增加而减小,应变随膜厚增加而增加。材料泊松比对垂直于磁化方向的应力和应变以及
中平面的影响很大。但是,泊松比对磁化方向的应力,应变和中平面的影响很小,可以忽略。
关键词:磁膜—衬底悬臂梁,应力,应变,中平面
中图分类号:O441.2 ,O343.1
1. 引言
磁性材料中的应力对材料自身的磁化、各向异性以及磁致伸缩等性质都有较大的影响,
因此一直以来是磁学及材料科学的研究重点之一[1-3] 。尤其是在磁致伸缩材料中应力、磁场
[4-6] [6-9]
和温度之间的非线性多场耦合效应 赋予材料许多新奇特性和广泛的应用 。而在磁性异
质多层薄膜材料中,由于晶格失配、热膨胀系数的差异以及位错等会在磁膜中产生较强的应
力及各向异性[8-10],从而大大影响着材料的性质。反之,对于一些材料也可以通过外加可控
应力达到优化材料性质的目的[11-14] 。该方法是将薄膜生长在弯曲衬底上然后将衬底放置自由
[11-13] [14]
,或者是将自由衬底上生长的薄膜-衬底系统整体弯曲或拉伸 。因此分析磁性多层薄
膜以及磁膜-衬底复合体中薄膜的应力与应变是研究磁性薄膜物理性质的基础内容之一。
在实验上研究磁致伸缩薄膜的性质时往往将磁膜-衬底复合体一端固定,另一端放置自
[3] [6-7] [15-17]
由而形成悬臂梁系统 。由于磁膜内的剩余应力 或磁膜被磁化 时悬臂梁磁膜-衬底系
统会产生整体弯曲,通过测量悬臂梁系统的自由端挠度可以方便地测定薄膜的磁膜应力状态
或磁致伸缩系数 [18-21] 。其实,早在1976 年 Klokholm[15]假设磁致伸缩为各向同性膨胀,对
悬臂梁系统的弯曲问题进行了探索性研究,得到了磁膜磁化引起的悬臂梁自由端挠度的解析
表达式。但是磁致伸缩效应相对于磁化方向是各向异性膨胀,为此, du Trémolete 和Peuzin
[16] [17] [15]
以及Marcus 对Klokholm 的理论 进行了修正,给出了正确的挠度公式并指出了泊
松比的重要性。但是他们理论的适用条件是磁膜/衬底厚度比很小,即t / t 0.001 (t 和 t 分
f s f s
别表示磁膜和衬底的厚度)的情况。近年来,微米甚至亚微米尺度的微电-机械器件中所使
用的双层悬臂梁的厚度比t / t 已达到1 或者更大 [22-23] 。在这种情况下, du Trémolete 等人
f s
[16] 的理论便不再成立。为此一些理论工作者开始探索耦联多层悬臂梁系统的一般性理论
[24-28] [24]
。Gehring 等人 提出了适用于任意磁膜/衬底厚度比的悬臂梁弯曲理论,通过引入约化
杨氏模量 Y (1−ν) (其中Y 是杨氏模量,v 是泊松比)试图建立同时适用于各向同性(压
电和热膨胀)和各向异性(磁致伸缩)悬臂梁的弯曲理论。但是,最近Iannott
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