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- 2017-08-07 发布于湖北
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数字逻辑第三章门电路的复习
第三章 复习 半导体基本知识 二极管 双极型三极管开关特性 MOS管开关特性 TTL门电路 MOS门电路 PN结和PN结的伏安特性 获得高低电平的基本原理 二极管的开关特性和等效电路 二极管门电路 双极型三极管输入输出特性 近似认为: VBE VON iB = 0 VBE ≥ VON iB 的大小由外电路电压,电阻决定 双极型三极管的开关特性和等效电路 三极管反相器 MOS管的输入输出特性 MOS管的基本开关电路 MOS管的四种类型 TTL反相器的电路结构和工作原理 TTL反相器的静态输入特性和输出特性 其他类型的TTL门电路 CMOS反相器的电路结构和工作原理 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 其他类型的CMOS门电路 电阻 电容 二极管 三极管 * * 正向导通区 反向截止区 反向击穿区 高电平:VIH=VCC 低电平:VIL=0 VI=VIH D截止,VO=VOH=VCC VI=VIL D导通,VO=VOL=0.7V 特性曲线分三个部分 放大区:条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB成正比变化, ΔiC=βΔiB。 饱和区:条件VCE 0.7V, iB 0, VCE 很低,ΔiC 随ΔiB增加变缓,趋于“饱和”。 截止区:条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, c—e间“断开” 。 只要参数合理: VI=VIL时,T截止,VO=VOH VI=VIH时,T导通,VO=VOL 截止状态 饱和导通状态 参数合理? VI=VIL时,T截止,VO=VOH VI=VIH时,T导通,VO=VOL 输入特性:直流电流为0,看进去有一个输入电容CI,对动态有影响。 输出特性: iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 。 截止区:VGSVGS(th),iD = 0, ROFF 109Ω 恒流区:iD 基本上由VGS决定,与VDS 关系不大 可变电阻区:当VDS 较低(近似为0), VGS 一定时, 这个电阻受VGS 控制、可变。 增强型 耗尽型 大量正离子 导电沟道 电压传输特性 输入特性 输出特性 与非门 或非门 与或非门 异或门 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 一、输入特性 二、输出特性 二、输出特性 1. 与非门 2.或非门 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 *
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