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新型功率器件SON—LDMOS的设计和研究-硬件和射频工程师
第32卷第2期 电子器件 V01．32No．2
2009年4月 a慨J删0fEIect瑚De!、，ic酷 Apr．2009
andResearchofaNoVel Power
Design HighVoltage
GAO Xi“一肠行’
Z^P起g_i行，CHENG
(Sf^oof 200240，函i撇)
o厂Mifrw￡盯fMic5，S妇”咖i_，妇on加gLhiwHf移，Sh行gki
novel sON—LDMOSwas and on
Abstr舵t：A analytical
powerdevice-Symmetrical designedproposed．Based
andAtalasI)evice effectsof structure asdrift and
approach Simulation，the factors，suchlength
key doping
breakdownofthedevicewere the breakdownAnd
profile，on voltage analyzed，testifyingpeak voltage．
withconventionalSOI—LDMOSand wasfoundSON—I，DMOShasbet—
SOI—LDMOS，it
comparing pattemed
tercharacteristicsin currentand Breakdownof
breakdown—voltage，leakageparasiticcapacitance． Voltage
SONI。DM()Sis3 times thanofSOI inSONLDM()Sisa1So
larger LDMoS，andparasjticcapacitance
srnaUer．Allthose forits inpower
providepartsupportcapability applicatiorl．
Keywords：SOI；SON；LDMOS．breakdown
voltage
EE蛔C：12lO；2570D
新型功率器件SON—LDMOS的设计和研究
高正鑫，程秀兰+
(上海交通大学微电子学院，上海200240)
摘 要：本文提出了一种新型的对称式SON
m
TcAD仿真软件Atals验证了漂移区设计对器件击穿电压的影响，证明了峰值击穿电压的存在。并且对比分析了S()N
倍。并且其寄生电容也较小，这为s0NLDMOS在功率方面的应用提供了部分理论支持。
关键词：sOl；s0N；L【)M0s；击穿电压
中图分
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