闪存属于ROM型存储器.PPT

　３．根据存储器数据的输入/输出方式不同分类 　存储器可分为串行存储器和并行存储器。 串行存储器中数据输入或输出采用串行方式，并行存储器中数据输入或输出采用并行方式。显然，并行存储器读写速度快，但数据线和地址线占用芯片的引脚数较多，且存储容量越大，所用引脚数目越多。 串行存储器的速度比并行存储器慢一些，但芯片的引脚数目少了许多。 　　2．存取速度(续) “存储周期”（memory cycle）是连续启动两次独立的存储器操作所需的最小时间间隔。 由于存储器在完成读/写操作之后需要一段恢复时间，所以存储器的存储周期略大于存储器的存取时间。 如果在小于存储周期的时间内连续启动两次存储器访问，那么存取结果的正确性将不能得到保证。 8.2　随机存取存储器（RAM） 　主要内容： 　RAM的分类与结构 　静态RAM（SRAM） 　SRAM的存储单元 　动态RAM（DRAM） 　DRAM的存储单元 8.2.1 　RAM分类与结构 　1．RAM分类 　　　　按工作方式不同可分为静态RAM（Static RAM）和动态RAM（Dynamic RAM）。 　　　静态RAM使用触发器作为存储元件，因而只要使用直流电源，就可存储数据。 动态RAM使用电容作为存储单元，如果没有称为刷新的过程对电容再充电的话，就不能长期保存数据。 当电源被移走后，SRAM和DRAM都会丢失存储的数据，因此被归类为易失性内存。 　　　 　2．RAM的结构 　　　RAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成，其电路结构框图如图所示。 　8.2.2 　 静态RAM（SRAM） 　1．SRAM的基本存储单元 　　　静态RAM的基本存储单元通常由6个MOS管组成，如图所示。 2．存储矩阵 表8-1 6116芯片的工作方式 8.2.3 动态RAM（DRAM） 动态RAM也是由许多基本存储单元按行、列形式构成的二维存储矩阵。 在基本存储单元电路中，二进制信息保存在MOS管栅极电容上的，电容上充有电荷表示“1”，电容上无电荷表示“0”，即动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息的。 8.3 只读存储器（ROM） 8.3.1 ROM分类与结构 1．ROM分类 2．ROM的结构 ROM的电路结构如图所示，由存储矩阵、地址译码器和输出控制电路三部分组成。 8.3.2 掩膜 ROM 掩膜式ROM通常采用MOS工艺制作。在芯片制造厂家生产时，根据用户提供的要写入ROM的数据或程序采用二次光刻板的图形（掩膜）将其直接写入（固化），因此称为掩膜ROM。掩膜ROM中的内容制成后用户则不能修改，只能读出。 掩膜ROM存储 矩阵的内容 掩膜式ROM的主要特点是： 存储的内容由制造厂家一次性写入，写入后便不能修改，灵活性差； 存储内容固定不变，可靠性高； 少量生产时造价较高，因而只适用于定型批量生产。 例8-1 利用掩膜ROM，实现4位二进制码到格雷码变换编程。 解：4位二进制码变换成格雷码如表所示。 8.3.3 可编程 ROM 可编程ROM便于用户根据自己的需要来写入特定的信息，根据存储矩阵中存储单元电路的结构不同，可编程的ROM有PROM、EPROM和EEPROM等三种。 2．可擦可编程ROM（Erasable PROM，简称EPROM） EPROM作为一种可以多次擦除和重写的ROM，克服了掩膜式ROM和PROM只能一次性写入的缺点，满足了实际工作中需要多次修改程序或数据的可能，前提条件是存储矩阵中现有的程序或数据必须首先擦除。 EPROM的擦除和编程写入是采用专门的编程器设备完成的。因此，对于编程好的EPROM要用不透光的胶纸将受光窗口封住，以保护芯片不受荧光或太阳光的紫外光照射而造成信息丢失。 太阳光大约在一周内可擦除EPROM，而室内荧光大约在三年内可擦除EPROM。 常用的EPROM有2716（2K×8位）、2732（4K×8位）、2764（8K×8位）和27512（64K×8位）等。 3．电可擦可编程ROM （Electrically EPROM） EPROM虽然可以多次编程，具有较好的灵活性，但在整个芯片中即使只有一个二进制位需要修改，也必须将芯片从机器（或板卡）上拔