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2017-08-26 发布于湖北
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第卷第期液晶与显示３２　６　　 Vol．３２　No．６　　　　　　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年月 q y p y ２０１７６　　　 Jun．２０１７文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１７０６Ｇ０４３３Ｇ０５器件电极特性研究 TFTＧLCD Al TFT * , , , , , , 张家祥王彦强卢凯张文余王凤涛冀新友　 , , , , , 王亮张洁王琪刘琨李良杰李京鹏　　　　 ( , ) 北京京东方光电科技有限公司北京１００１７６ : / / / . , , 摘要本文对 MoAlMo作为 TFTＧLCD器件源漏极的TFT特性进行了研究与单层 Mo相比存在沟道界面粗糙 , , , . , I 偏大问题通过优化膜层结构改善界面状态得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性增加 BottomMo的厚度 off ＋ , , ; , 可以有效减少的渗透防止化合物的形成得到界面平整的沟道刻蚀后处理对特性影响不大增加刻 Al AlＧSi N SF ６ ; , , 蚀时间可以使和同时降低沉积前处理气体与区别不大都可以减少沟道缺陷而增加处理 I I PVX N ＋NH H H on off ２３２２ , , ; 时间会增强等离子的轰击作用减少了沟道表面