总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究 - 物理学报.pdf

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 11 (2013) 116101 总剂量辐射环境中的静态随机存储器 功能失效模式研究 郑齐文123 余学峰12† 崔江维12 郭旗12 任迪远12 丛忠超123 1) ( 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011 ) 2) ( 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011 ) 3) ( 中国科学院大学, 北京 100049 ) ( 2012 年12 月30 日收到; 2013 年1 月30 日收到修改稿) 本文对静态随机存储器(SRAM) 总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试. 利用不同测 试图形覆盖的出错模式不同, 通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异, 以及对失效存储单 元单独进行测试, 研究了总剂量辐照引起的SRAM 器