总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究 - 物理学报.pdf

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 11 (2013) 116101 总剂量辐射环境中的静态随机存储器 功能失效模式研究 郑齐文123 余学峰12† 崔江维12 郭旗12 任迪远12 丛忠超123 1) ( 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011 ) 2) ( 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011 ) 3) ( 中国科学院大学, 北京 100049 ) ( 2012 年12 月30 日收到; 2013 年1 月30 日收到修改稿) 本文对静态随机存储器(SRAM) 总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试. 利用不同测 试图形覆盖的出错模式不同, 通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异, 以及对失效存储单 元单独进行测试, 研究了总剂量辐照引起的SRAM 器件功能失效模式. 研究表明: 器件的功能失效模式为数据保存 错误(Data retention fault) 且数据保存时间具有离散性, 引起数据保存错误的SRAM 功能模块为存储单元. 通过对存 储单元建立简化的等效电路图, 分析了造成存储单元数据保存错误以及保存时间离散性的原因, 并讨论了该失效模 式对SRAM 总剂量辐射功能测试方法的影响. 关键词: 静态随机存储器, 功能失效, 测试图形, 数据保存错误 PACS: 61.80.Ed, 61.82.Fk, 85.30.Tv, 07.85.m DOI: 10.7498/aps.62.116101 上表现为随着总剂量辐射静态功耗电流增加, 累积 3 1 引言 到一定剂量器件功能失效 . 目前关于SRAM 总剂量功能失效的研究大部 静态随机存储器是数字处理、信息处理、自 分集中在物理层面, 少有在电路级别关于失效模式 动控制设备中重要组成部件, 被广泛应用到航天器 的探讨, 且对不同工艺及电路结构的器件采用不同 1 的实验方法得出了不同的结论1012 . 和卫星的控制系统中 . 空间辐射环境中的带电 粒子(如电子、质子与带电重粒子) 和宇宙射线会 实际上, 由于SRAM 器件内部电路结构复杂, 对SRAM 器件造成辐射损伤, 引起诸如数据存取速 宏观电参数的测试结果很难体现器件内部的损伤 率、噪声容限、功耗电流等特性参数的剧烈变化, 信息, 使得目前对总剂量辐照引起的SRAM 功能失 甚至造成数据错误或功能完全失效, 严重威胁航天 效模式的认识依然不是十分清晰. 首先SRAM 功 2 能失效模式可为存储单元固定错误(Stuck-at fault), 器工作的可靠性和安全性 . 因此, 研究SRAM 器 件的辐射效应具有重要现实意义和必要性. 存储单元转变错误(Transition fault), 多个存储单元 自上世纪70 年代起, 国内外针对SRAM 的 的耦合错误(Coupling fault), 以及译码器错误(Ad- 39 13 总剂量辐射效应开展了大量研究 . 目前关于