PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究.pdfVIP

!# 年 月 西安电子科技大学学报（自然科学版） 3HX- !# 第%! 卷. 第* 期 . ’()*+,. (-. ./0/+*. )*/1$2/#3 . ‘DR- %!. D- * !# 铁电薄膜材料的$% 等离子体刻蚀研究 娄利飞，肖. 斌，汪家友，杨银堂，李跃进 （西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西 西安. ( )( )） 摘要：以/01 和/01 2 34 为刻蚀气体，采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶$凝胶工艺制 备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除- 研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻 蚀速率的影响，指出当气体混合比约为!5 时，刻蚀速率达到最大值- 锆钛酸铅铁电薄膜表面组份67/ 能谱分析曲线表明，在/01 和/01 2 34 气体中，被刻蚀后样品的78 含量大大减少，9:;! 的刻蚀是限制锆 钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素- 关键词：电子回旋共振；等离子体刻蚀；锆钛酸铅；凝胶$溶胶工艺 中图分类号： 9%* - ##. . 文献标识码：3. . 文章编号：))$!* （!# ）*$###$* !#$% ’ () *+, -./01/ )2(345 -62)00 ’ 789 ’)66).)2632 (34 ’3.1 1/)63/.0 !# !$% ’$ ，()* +$, ，-*./ 0$1%234 ，5*./ 5$,%61,7 ，!) 54’%8 $, （9= ?:@:AB4C DE FGH- IC JK8- DE L:G MK@G$NKO /P:QD@GHQBD4 ?KB4:KRA K@G +S:QA ， 6:G:K@ T@:S- ，6: UK@. ( )( )，V=:@K ） :;06/2 ：. FRQB4D@ QCQRDB4D@ 4AD@K@Q （FVW ）BQ=:@X DE B= RKG Y:4QD@KB B:BK@KB （7,9 ）E44DRQB4:Q B=:@ E:RPA O4DGHQG S:K ADR$XR O4DQAA =KA 8@ O4ED4PG :@ /01 K@G B= /01 2 34 P:ZBH4A- 9= GO@G@Q DE B= BQ=:@X 4KB D@ B= BDBKR ERD[ 4KB ，XKA P:Z:@X 4KB:D K@G P:Q4D[KS OD[4 G@A:BC =KA 8@ ACABPKB:QKRRC :@SAB:XKBG- FZO4:P@BKR 4AHRBA A=D[ B=KB B= PKZ:PK DE B= BQ=:@X 4KB :A 4KQ=G [=@ B= XKA P:Z:@X 4KB:D :A K8DHB !5 - 9= AH4EKQ QDPOD@@B 6$4KC O=DBDRQB4D@ AOQB4DAQDOC （67/ ）DE 7,9 B=:@ E:RPA :@G:QKB B=KB B= FVW BQ=:@X O4DQAA :@ /01 K@G B= /01 2 34 PZBH4A C:RG K X4KB GQ4KA :@ 78 QD@B@B :@ B= QDPODA:B:D@ DE 7,9 B=:@ E:RPA ，K@G B=KB B= BQ=:@X DE 9:;! :A B= PK\D4 EKQBD4 :@ 4AB4:QB:@X B= 7,9 B=:@ E:RPA BQ=:@X 4KB- )% =6$0 ：. RQB4D@ QCQRDB4D@ 4