. 4 场效应管.ppt

§ 1.4 场 效 应管 §1.4 场效应管 一、结型场效应管 1、下面结构(以N沟道为例) 1、工作原理 （2）当uGS为0～UGS(off)中某一值，uDS对iD的影响 （3）当uGSUGS(off)时，uGS对iD的控制作用 3、 结型场效应管的特性曲线 （2）转移特性曲线 二、绝缘栅型场效应管 1、N沟道增强型MOS管 （2）工作原理 （3）特性曲线与电流方程 ②转移特性曲线与电流方程 2、N沟道耗尽型MOS管 3、P 沟道MOS 管 4、VMOS管（自学） 2、交流参数 3、极限参数 五、场效应管与晶体管的比较 * * 1.熟悉场效应管的结构、分类 2.了解场效应管的的工作原理、主要参数和应用 绝缘栅型场效应管的结构特点 绝缘栅型场效应管的特性曲线 学习目标 学习重点 场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 场效应管 结型场效应管 （JFET） 绝缘栅型场效应管 （MOS） N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N P+ P+ 三 个电极：g：栅极 d：漏极 s：源极 两 个PN结夹着一个N型沟道。 g 栅极 d 漏极 s 源极 N沟道 P沟道 符号： N沟道结型场效应管正常工作，应在uGS0，耗尽层承受反向电压（uGS对沟道的控制作用，又保证栅－源之间内阻很高），uDS0，形成漏极电流iD。 （1）栅源电压对沟道的控制作用 耗尽层 N P+ P+ s d g ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会完全合拢。 uGS=UGS(off)夹断电压。 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，导电沟道最 宽。 ②当│uGS│↑时，沟道电阻增大。 VGG （uGS） N P+ P+ d g s VGG （uGS） VDD （uDS） iD ①当uDS=0时， iD=0。 ②当uDS≠0时，从d→s电位依次减小，即耗尽层承受的反向电压由d→s逐渐减小，故宽度也沿着d→s方向逐渐变窄。 uDS → iD ③当uGD= UGS(off)时，漏极的耗尽层出现夹断。 ＋ － uDS ＋ － uGS ＋ uGD － uGD＋uDS－uGS＝0 uGD ＝uGS － uDS N P+ P+ d g s VGG （uGS） VDD （uDS） iD ③当uGD UGS(off)时，漏极的耗尽层夹断层加长。 uDS增大，电流iD基本不变。 a、uDS增大，夹断区加长，自由电子运动受阻，电流iD减小； b、uDS增大， d→s 纵向电场加强，电流iD增加； 当uGD UGS(off)时，当uDS为常量时，uGS的大小影响iD的大小，也就时说，可以通过改变uGS控制iD的大小。 场效应管是电压控制元件，用gm（低频跨导）来描述动态的栅－源电压对漏极电流的控制作用： 小结： （1）当 uGD＝ uGS － uDS UGSoff 时，导电沟道未出现夹断，对应不同的 uGS ，d－s 间可等效不同的电阻； （2）当 uGD＝ UGSoff 时，导电沟道出现预夹断； （3）当 uGD＝ uGS － uDS UGSoff 时，导电沟道出现夹断，iD取决于uGS ，而与uDS无关。 （4） PN 结反偏，iG ≈ 0。 （1）输出特性曲线 可变电阻区 恒流区 击穿区 夹断区 iD(mA) uDS(V) uGS＝0V uGS＝－1V uGS＝－2V uGS＝－3V uGS＝－4V 预夹断轨迹 ①可变电阻区：导电沟道未夹断前，uDS与iD线性关系，对应不同的uGS， d－s 间可等效不同的电阻； ②恒流区：导电沟道出现夹断，iD取决于uGS ，而与uDS无关 ； ③预夹断轨迹：uGD＝ uGS － uDS ＝UGS(off) ④夹断区：uGS UGS(off)时，导电沟道完全被夹断，iD≈0。 iD(mA) uDS(V) uGS＝0V uGS＝－1V uGS＝－2V uGS＝－3V uGS＝－4V 0 -3 -1 2 iD(mA) uGS（V） 1 -4 -2 4 3 UGS（off） IDSS 恒流区的转移特性曲线近似一条 IDSS：饱和漏电流。uGS=0时， uGD＝ UGS(off) 时漏极电流； (1)结构 s g d b - - - N + + N P型衬底 s g d b N沟道 s g d b P沟道 符号： + + N N P型衬底 uDS uGS ①u