原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
微电子器件(5-5)
* 5.5 MOSFET 的直流参数与温度特性 5.5.1 MOSFET 的直流参数 1、阈电压 VT 2、饱和漏极电流 IDSS 只适用于耗尽型 MOSFET，表示当 VGS = 0，VDS VDsat 且恒定时的 IDsat ，即 4、通导电阻 Ron 表示当 MOSFET 工作于线性区，且 VDS 很小时的沟道电阻。当 VDS 很小时，ID 可表示为 3、截止漏极电流 只适用于增强型 MOSFET，表示当 VGS = 0 ，外加 VDS 后的亚阈电流与 PN 结反向电流引起的微小电流。 5、栅极电流 IG 表示从栅极穿过栅氧化 层到沟道之间的电流。栅极电流 IG极小，通常小于 10-14 A 。 1 、阈电压与温度的关系 上式中与温度关系密切的只有 ， 5.5.2 MOSFET 的温度特性 式中， ，所以对于 N 沟道 MOSFET， ， 阈电压具有负温系数。 无论 N 沟道还是 P 沟道， 大约为每度几个 mV，所以 温度对于阈电压的影响不是很大。 用同样的方法可以得到 P 沟道 MOSFET 的阈电压与温度的关系，并且得到 ，所以 P 沟道 MOSFET 的阈电压具有正温系数。 因 ， ，又已知 N 沟道 MOSFET 的 所以 的正负取决于 ID 的大小，也即（VGS –VT）的大小。 2 、漏极电流与温度的关系 上式中与温度关系密切的有 与 。 (1) 当（VGS –VT）较大时， (3) 令 ，可解得 (2) 当（VGS –VT）较小时， 当满足上式时，漏极电流的温度系数为零，温度对漏极电流无影响。对 P 沟道 MOSFET 也可得到类似的结论。 总的说来，MOSFET 有较好的温度稳定性。 *
文档评论（0）