单片集成0.8μm栅长gaas基ingapalgaasingaas增强耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 monolithic integration of 0.8μm gate-length gaas-based ingapalgaas ingaas enhancement- and depletion-mode phemts.pdfVIP

第28卷第9期 半导体学报 V01．28NO．9 2007年9月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCToRS Sep．，2007 增强／耗尽型赝配高电子迁移率晶体管* 徐静波1’’ 张海英1 尹军舰1 刘 亮1 李 潇1’2 叶甜春1 黎 明1 (1中国科学院微电子研究所，北京100029) (2四川I大学物理科学与技术学院，成都610064) 应晶体管逻辑反相器，电源电压为1V，输入0．15V电压时，输出电压为0．98V；输入0．3V电压时，输出电压为 O．】8V． 关键词：单片集成；增强型；耗尽型；赝配高电子迁移率晶体管；阈值电压 EEACC：1350A；2560S 中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)09—1424—04 结构．InGaP／A1GaAs／InGaAsPHEMT与常规的 1 引言 A1GaAs／InGaAs 单片集成增强／耗尽型PHEMT可以实现DC．生Dx中心，不易氧化，势垒高度更高，而且In． FL，DCFL是大规模集成电路(LSIC)的最好逻辑技 术之一，应用于高速、低功耗数字电路领域[1~4]． 腐蚀栅槽工艺来说，是非常重要的，有利于获得均匀 的增强型阈值电压． 与基于耗尽型PHEMT的逻辑技术相比，DC． FL的优点包括以下几个方面：只需要单一电源供 PHEMT器件的阈值电压与外延层厚度、掺杂 电；低功耗；相邻各级之间不需要电位转换电 剂量等因素有关．在前期工作的基础上[7]，优化了 路[5’6]．实现DCFL的难点在于，需要在同一片衬底 上制备出增强型和耗尽型PHEMT器件，而且要精件仿真结果显示增强型PHEMT阈值电压为 GaAs 确控制增强型PHEMT的阈值电压． 0．1V．优化后的材料结构参数如下：300nm 本文优化了GaAs基InGaP／A1GaAs／InGaAs AIGaAs缓冲层，12nmIn02Gao．8As沟道层，4nm PHEMT的外延结构，以便更好地获得增强型阈值 电压，采用光学接触式光刻方式，实现了单片集成 Alo．：2Gao，8As空间隔离层，平面掺杂层，8nmAlo：2． 0．8肚m栅长GaAs基InGaP／A1GaAs／InGaAs增Ga078As势垒层，17nmIn0485Ga0515P势垒层， 强／耗尽型PHEMT，获得了很好的直流和高频测试50nm n+．GaAs盖帽层． 结果．利用单片集成增强／耗尽型PHEMT实现了 DCFL反相器，为下一步设计和制备大规模高速数片，室温下电子迁移率和二维电子浓度分别为 字集成电路奠定了基础． 5600cm2／(V·s)和1．56×1012cm～． 2 材料结构 3 器件制备 在外延材料的设计方面，用InGaP代替舢． GaAs势垒层的上半部分，形成复合肖特基势垒层 *国家自然科学基金(批准号和国家重点基础研究发展规划(批准号：2002cB311901)资助项目 十通信作者．Email：xu．jing．bo@163．com 2007·03-15收到，2007-05—07定稿 ⑥2007中国电子学会 万方数据 第9期徐静波等： 3