氮离子束能量对光伏新材料氮化碳薄膜的影响 influence of nitrogen ion energy on photovoltaic new material carbon nitride films.pdfVIP

研 究 与 设 计 氮离子束能量对光伏新材料氮化碳簿膜的影响 姜 维， 周之斌 ， 崔容强， 罗培青， 刘志刚， 窦晓鸣 （上海交通大学 物理系 太阳能研究所 ，上海 200240 ） 摘要: 将碳基材料应用于太 阳电池半导体器件的研究 已经在 国 内外得到重视和开展 。 采用离子束溅射反应沉积技术 ， 在 p 型绒面硅和 p 型硅基片上沉积 出用于制备太 阳电池的氮化碳簿膜(a- C:N)。 I / I 比率 ，I / I 比率是研究氮化碳 D G Si G 簿膜微结构 的重要拉曼参数 ，对这些参数 随氮离子束能量的变化进行 了研究。 能量散射光谱 （EDS ）和透射 电子显微 镜 （TEM ）测试显示随氮离子束能量增犬 ，簿膜 中氮原子含量下降 ，团簇尺寸犬幅下降 ，非晶网络 中团簇分布也趋于均 匀。 用直空热蒸镀工艺在氮化碳 / 硅异质结的氮化碳簿膜表面镀上一层半透明的铝簿膜 ，测得 AM 1.5 标准光照下的 开路 电压 随氮离子束能量的增加而增犬。 关键词 ：氮化碳 ；离子束溅射 ；拉曼 ；TEM ；EDS ；开路 电压 TM 914.4 文献标识码 ：A 文章编号 ：1002- 087 X(2006)11- 0921- 04 中图分类号 ： Influence of nitrogen ion energy on photovoltaic new material carbon nitride films JIANG Wei, ZHOU Zhi-bin, CUI Rong-giang, LUO Pei-ging, LIU Zhi-gang, DOU Xiao-ming (solar Energy Institute, Department of Phy sics, shanghai Jiaotong University, shanghai 200240, China) Abstract: Carbon- based material has been attempted as a semiconductor in photovoltaic solar cell. Carbon nitride (a- C:N) thin films also have been deposited for solar cell applications. Carbon nitride films were deposited on p- type textured Si and p- type Si substrates by ion beam sputtering technigue. The dependence of I / I ratio and D G I Si/ I G ratio on nitrogen ion energy is discussed, which are the important Raman parameters