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氮气中退火对zno薄膜结构与光学性能的影响 effect of annealing in n2 on structure and optical properties of zno thin films
《半导体光电》2007年6月第28卷第3期 杨兵初等: 氮气中退火对Zn0薄膜结构与光学性能的影响
材料、结构及工艺:
氮气中退火对Zno薄膜结构与光学性能的影响
杨兵初,高 飞 ,刘晓艳
(中南大学物理科学与技术学院。湖南长沙410083)
摘要: 采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜,并将样品在氮气中进行了退火。对样品的
表面形貌、结构性能、发光特性、透射光谱分别进行了检测。结果表明:退火后,样品的结晶质量提
高,光致发光峰增强,在可见光范围内的平均透过率也有所增加。计算表明:退火后ZnO薄膜的禁
带宽度略有减小。这可能是氮掺入ZnO薄膜后,N2p与02p形成杂化轨道,二者能带部分重叠,
从而使价带变宽、禁带变窄。
关键词: 直流磁控溅射;ZnO薄膜;氮气中退火
in on and ofZnoThinFilms
Effectof St邝cture
AnneaHngN2 opticalProperties
YANG Fei,L1U
Bing—chu,GAOXiao—yan
of south 410083,CHN)
(ConegePhysi鹳Scien∞andTechnolo留,CentmIUnjVe体ity,Changsha
Zn0thinfilmswere DCreactive andthen
Abstract: preparedby magnetronsputtering
annealedin characteristicsofitssurface
N2.The
studied of in thestructure
transmissionwere effect on
spectrum respectively.TheannealingN2
and ofZnOthinf订mswas showthatafter
studied.The results
opticalproperties experimental
ofZnOthin“lmsisenhanced ofPLandthe
intensity average
annealing,thequality obviously,the
transmissioninvisible increaseasweU.Itisfoundthattheband ofZnOthinfilms
light gap
becomesnarrowtoa certainextent.It beZnO andformsand
might dopednitrogen N2p 02p
leadswidervalenceband
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