低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响 effects of low-temperature etching on acid texturization for multi-crystalline silicon.pdfVIP

低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响 effects of low-temperature etching on acid texturization for multi-crystalline silicon.pdf

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低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响 effects of low-temperature etching on acid texturization for multi-crystalline silicon

《半导体光电)2012年 4月第 33卷第 2期 周 艺 等: 低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响 低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响 周 艺 ,郭长春 。,欧衍聪 ,肖 斌 ,李 荡 ,高振洲 (1.长沙理工大学 化学学院。长沙 410114;2.湖南神州光 电能源有限公司技术研发部 。长沙 410205) 摘 要: 采用低温酸刻蚀 ,通过优化 HF—HNO。一H O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在 多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行 SEM表面形貌分析和反射谱 的测试。结果表 明,低温 刻蚀 比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度 ,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发 现,在不同HF_HNO。一H2o腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO。 含量相对较低时,低温刻蚀工艺有较好的效果。所得最佳绒面制备方案为:酸腐蚀溶液体系配比为 VHF: HNo :VHo===1:4:2,温度为 3℃,反应速率控制为2.6tlm/min。该方案 已在 25MW 多 晶硅 太阳电池生产线上 实施,不增加工艺难度和生产成本 ,适合 于工业生产 。 关键词 : 低温刻蚀 ;多晶硅 ;表面织构化 ;腐蚀速率 ;温度 中图分类号 :TM914.41 文献标识码 :A 文章编号:1001—5868(2012)O2—0201--03 EffectsofLow-—temperatureEtchingonAcidTexturization forM ulti_。crystallineSilicon ZHOU Yi,GUO Changchun ,OU Yancong ,XIAO Bin ,LIDang ,GAO Zhenzhou。 (1.ChangshaUniversityofScienceandTechnology,Changsha410114,CHN; 2.HunanSunzoneOptoelectronicsEnergyCo.,Ltd,Changsha410205,CHN) Abstract: The textured structure on mu1ti—crystalline silicon was fabricated by lOW- temperatureacidetchingmethodwithoptimizedratioandtechnicalparametersinHF-HNO3-H2O system ,and thesurfacemorphology andreflectivityproperty ofsampleswerecharacterizedby scanning electron microscope (SEM ) and incident—photon—to—electron conversion efficiency (IPCE).Theresultsshow thatthelow—temperatureacidetching ismoreeffectiveinobtaining favorabletextured structureand good controllabi1ity ofreaction rate,meanwhile,the large differenceexistsforreactionrateaffectedbytemperaturewithdifferentratiosofHF—HNO3一H2o solution.Goodresultcanbeobtainedatlow-temperatureacidetchingunderlow HN03content. Theoptimum parametersfortextured structureonmulti—crystallinesiliconwereconcludedas: HF:VHN() :VH0:=:1:4:2,temperatureas3℃ andetchingrateas2.6~/m/min,whichwere successfullyperformedin25M W productionlineofmulti—crystallinesiliconsolarcel1.

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