5-5硅的异质外延的.ppt

5-5 硅的异质外延Heteroepitaxy;近年来， 以笔记本电脑、蜂窝电话、微型通信 设备等为代表的便携式系统发展迅猛。 它们一般都由高度集成的电子器件组成，且多使用干电池或太阳能电池作为电源。因此．对于制造电子器件的材料和性能的要求也越来越高，不仅要能够实现高度集成，而且要满足高速、低压、低功耗的要求。体硅CMOS技术在这些方面都明显不能满足要求。;;SOI材料的应用领域;衬底的选择;SOS 技术;SOS外延生长;双速率生长：先用高的生长速率(1～2um/min),迅速将衬底表面覆盖(生长100～200nm)。然后再以低的生长速率(约0.3um/min)长到所需求的厚度。;SOS 技术的缺点及需要解决的问题;SOI技术;SOI的结构特点是在有源层和衬底层之间插入埋氧层来隔断二者的电连接。 SOI和体硅在电路结构上的主要差别在于：硅基器件或电路制作在外延层上，器件和衬底直接产生电连接，高低压单元之间、有源层和衬底层之间的隔离通过反偏PN结完成，而SOI电路的有源层、衬底、高低压单元之间都通过绝缘层完全隔开，各部分的电气连接被完全消除。 ;SOI技术的挑战;SDB (Silicon Direct Bonding)直接键合与背面腐蚀BE（Back Etching）技术 SIMOX (Separating by Implanting Oxide )氧注入隔离 Smart Cut智能切割 ELTRAN (Epitaxy Layer Transfer)外延层转移;1. SDBBE; 当两个平坦的具有亲水性表面的硅片（如被氧化的硅片）相对放置在一起时，即使在室温下亦会自然的发生键合。;SDBBE技术 优点： 硅膜质量高 埋氧厚度和硅膜厚度可以随意调整 适合于大功率器件及MEMS技术 缺点： 硅膜减薄一直是制约该技术发展的重要障碍 键合要用两片体硅片制成一片SOI衬底，成本至少是体硅的两倍;SIMOX (Separating by Implanting Oxide )氧注入隔离:是通过氧离子注入到硅片，再经高温退火过程消除注入缺陷而成. 包括注入O+, N+或 Co+至单晶硅中合成SiO2, Si3N4 或CoSi2埋层,目前情况下，SiO2 埋层的合成已是在商业上可以实现的SOI技术;SIMOX技术主要包括三个工艺步骤：;SIMOX技术优点： 制备的硅膜均匀性较好，调整氧离子注入剂量可使厚度控制在50～400nm的范围。 缺点：但由于需要昂贵的高能大束流离子注入机，还要经过高温退火过程，所以???备成本很高，价格非常贵。 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;SIMOX材料： 最新趋势是采用较小的氧注入剂量 显著改善顶部硅层的质量 降低SIMOX材料的成本 低注入剂量(~ 4?1017/cm2)的埋氧厚度薄：800～1000? 制备大面积(?300mm)SIMOX材料困难;智能剥离（Smart—Cut）技术;Smart—Cut工艺优点;;Smart-Cut技术是一种智能剥离技术 将离子注入技术和硅片键合技术结合在一起 解决了键合SOI中硅膜减薄问题，可以获得均匀性很好的顶层硅膜 硅膜质量接近体硅。 剥离后的硅片可以作为下次键合的衬底，降低成本; ELTRAN技术(Epitaxial Layer Transfer)外延层转移，独特之处在于在多孔硅表面上可生长平整的外延层，并能以合理的速率将多孔硅区域彻底刻蚀掉 ，该技术保留了外延层所具有的原子平整性，在晶体形成过程中也不产生颗粒堆积或凹坑，因此具有比其它SOI技术更为优越的性能。 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;以上4种制备SOI材料的方法各有所长，使用者可以根据不同的材料要求，选择不同的制备方法。 SDB法通常用于制取厚埋氧层材料，其硅层的厚度取决于硅片减薄技术的进展。早期该???术只能制备厚硅层材料，后来随着BE Bonding技术和CMP（Chemical Mechanical Polishing）技术的发展，也可以用于制备极薄的顶层硅（0.1μm ）。 而SIMOX法由于氧注入条件的限制，只能制取薄硅层（0.1～0.4μm）和薄埋氧层（0.1～0.4μm）材料。要获得厚的硅层，必须再进行外延，即采用ESIMOX法。 而Smart Cut法由于采用了键合工艺，则最适用