Lab5光罩设计与非等向蚀刻模拟-国立高雄第一科技大学.PDF

微系統製造與實驗─LAB5 光罩設計與非等向蝕刻模擬 Lab5 光罩設計與非等向蝕刻模擬 5.1.實驗目的 練習微機電模擬軟體 Intellisuite 之光罩設計模組 Intellimask設計光罩，並學習利用 其非等向蝕刻模組AnisE模擬矽基非等向蝕刻。 5.2.實驗步驟 第一部份：光罩設計 1. 以Intellimask繪製 alignment key ，key圖形如下： 圖 1 Alignment Key尺寸圖 將來在上下兩片光罩對準時，則另一片光罩的相同位置，可設置圖 1對準符號的互 補圖形，將來便可利用於光罩圖形的對準如圖 2 。 5-1 國立高雄第一科技大學機械系 余志成 © 2007 微系統製造與實驗─LAB5 光罩設計與非等向蝕刻模擬 圖 2 上下光罩Alignment Key 對準時圖形 2. 島塊補償圖形設計： 利用＜ 100＞方向的帶狀（Band ）補償圖形設計光罩，KOH 非等向蝕刻補償公式如 下： B=2h L=1.6B B ：補償帶寬 h ：蝕刻深度 L ：補償長度 假設島塊寬度為 1600 (μm) ，外框寬度為3400 (μm) ；蝕刻深度為300 (μm) ，設計含凸角 補償圖形之島塊光罩。 5-2 國立高雄第一科技大學機械系 余志成 © 2007 微系統製造與實驗─LAB5 光罩設計與非等向蝕刻模擬 3.晶圓光罩 將角落補償與alignment key 光罩圖形安排如下： 圖 3補償圖形與 alignment key的安排 在一片 4” wafer 上繪製6x6的 layout ，如下圖： 圖 4 複製圖形陣列 5-3 國立高雄第一科技大學機械系 余志成 © 2007 微系統製造與實驗─LAB5 光罩設計與非等向蝕刻模擬 第二部份： TMAH蝕刻模擬 1. 以第一部份所設計之角落補償光罩，以KOH濃度 30% ，溫度80 ﾟC的非等向蝕刻 條件，設定蝕刻時間至所指定深度 300 (μm) ，配合模擬蝕刻軟體(AnisE)作凸角補償 蝕刻驗證，討論補償結果。 2. 將實作之{100}晶圓 TMAH非等向性蝕刻的光罩圖形以AnisE模擬，以便為來與實際 蝕刻結果比較，所需模擬的圖形如圖 5紅圈處，光罩檔案可在課程網站下載。蝕刻 條件為 TMAH濃度 25% 85 ﾟC ，蝕刻時間1, 4, 7 小時各模擬一次。 第三部份： {110}矽晶圓蝕刻 1. 以 {110}矽晶圓作一（ 1000x1000）矩形內部蝕刻，觀察其蝕刻面現象並與課本比較作 說明 2. 以 {110}矽晶圓設計光罩，並製作長度 1000μm寬度 100μm 深度300μm的 4x1矩陣 垂直壁深槽蝕刻，並討論結果。 主切邊對準線 非等向蝕刻部分 　 圖 5蝕刻模擬部分 5.3.實驗報告 報告的第一頁為實作標題與組員姓名學號，第二頁以後應敘述（ 1）實驗目的（2 ） 實驗過程，包括凸角補償設計尺寸，以及第三部份所設計的光罩尺寸。（ 3 ）實驗結果， 可參考以下表格整理討論。（ 4 ）實驗心得討論，並與課堂所教之非等向蝕刻理論比較。 第一部份光罩設計檔案請直接