MSP430功能模块详解系列之——FLASH存储器.PDF

七星单片机开发实验室 转载请注明出处，谢谢！ 网址： MSN ：dearliujian@ ourmcu@ MSP430 功能模块详解系列之——FLASH 存储器 一、MSP430单片机FLASH存储器模块特点 1.8～3.6V工作电压，2.7～3.6V编程电压； 擦除/编程次数可达100000次： 数据保持时间从10年到100年不等： 60KB空间编程时间5秒： 保密熔丝烧断后不可恢复，不能再对JTAG进行任何访问； FLASH编程/擦除时间由内部硬件控制，无任何软件干预； 二、FLASH存储器的操作 由于FLASH存储器由很多相对独立的段组成，因此可在一个段中运行程序，而对另一个段进行 擦除或写入操作。正在执行编程或擦除等操作的FLASH段是不能被访问的，因为这时该段是与 片内地址总线暂时断开的。 对FLASH模块的操作可分为3类：擦除、写入及读出。而擦除又可分为单段擦除和整个模块擦 除；写入可分为字写入、字节写入、字连续写入和字节连续写入 1.FLASH擦除操作：对FLASH要写入数据，必须先擦除相应的段，对FLASH存储器的擦除必须是 整段地进行，可以一段一段地擦除，也可以多端一起擦除，但不能一个字节或一个字地擦除。 擦除之后各位为1。擦除操作的顺序如下： 选择适当的时钟源和分频因子，为时序发生器提供正确时钟输入 如果Lock=1，则将它复位 监视BUSY标志位，只有当BUSY=0时才可以执行下一步，否则一直监视BUSY 如果擦除一段，则设置ERASE=1 如果擦除多段，则设置MERAS=1 如果擦除整个FLASH，则设置RASE=1，同时MERAS=1 对擦除的地址范围内的任意位置作一次空写入，用以启动擦除操作。 在擦除周期选择的时钟源始终有效 在擦除周期不修改分频因子 在BUSY=1期间不再访问所操作的段 电源电压应符合芯片的相应要求 对FLASH擦除要做4件事 对FLASH控制寄存器写入适当的控制位 监视BUSY位 空写一次 等待 第1 页 共5 页 七星单片机开发实验室 转载请注明出处，谢谢！ 网址： MSN ：dearliujian@ ourmcu@ 2.FLASH编程操作。对FLASH编程按如下顺序进行： 选择适当的时钟源和分频因子 如果Lock=1，则将它复位 监视BUSY标志位，只有当BUSY=0时才可以执行下一步，否则一直监视BUSY 如果写入单字或单字节，则将设置WRT=1 如果是块写或多字、多字节顺序写入，则将设置WRT=1，BLKWRT=1 将数据写入选定地址时启动时序发生器，在时序发生器的控制下完成整个过程 块写入可用于在FLASH段中的一个连续的存储区域写入一系列数据。一个块为64字节长度。块 开始在0XX00H、0XX40H、0XX80H、0XXC0H等地址，块结束在0XX3FH、0XX7FH、0XXBFH、0XXFFH 等地址。块操作在64字节分界处需要特殊的软件支持，操作如下： 等待WAIT位，直到WAIT=1，表明最后一个字或字节写操作结束 将控制位BLKWRT复位 保持BUSY位为1，直到编程电压撤离FLASH模块 在新块被编程前，等待trcv （编程电压恢复时间）时间 在写周期中，必须保证满足以下条件： 被选择的时钟源在写过程中保持有效 分频因子不变 在BUSY=1期间，不访问FLASH存储器模块 对FLASH写入要做4件事 对FLASH控制寄存器写入适当的控制位 监视BUSY位 写一个数据 继续写一直到写完 3.FLASH错误操作的处理：在写入FLASH控制寄存器控制参数时，可引发以下错误： 如果写入高字节口令码错误，则引发PUC信号。小心操作可避免 在对FLASH操作期间读FLASH内容