电子技术基础--第三章--场效应管与其放大电路.pptVIP

第二节 结型场效应管的结构和工作原理;作业;场效应管出现的历史背景 场效应管的用途 场效应管的学习方法 场效应管的分类;场效应管出现的历史背景;场效应管的用途;场效应管的学习方法;N沟道;一、结型场效应管的结构;一、结型场效应管（JFET)结构;二、结型场效应管（JFET)的工作原理;（1）电压源UGS和电压源UDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源UGS起作用，电压源UDS的电压值为0； （3）只有电压源UDS起作用，电压源UGS的电压值为0； （4）电压源UGS和电压源UDS同时起作用。;（1） UDS =0伏、UGS = 0伏时JFET的工作状态;（2） 在UDS =0伏的前提下： │ UGS │从0伏逐渐增加过程中，JFET的工作状态;（2.2) UDS =0伏:│UGS│逐渐增加至UGS = Up （夹断电压）; （2.3）? UDS =0伏:│UGS│继续增加，结型场效应管进入击穿状态 ;（3） 在UGS =0伏的前提下，分别讨论UDS 由小变大的过程中JFET的几种工作状态;导电沟道不再是上下平行等宽，而是上窄下宽。当UDS 比较小时 ，导电沟道不会被夹断。;（3.2) UGS =0伏、UDS的值增加至│Up│时 ;（3.3) UGS =0伏、UDS继续增加 ;当电压源UDS增加时，可以近似认为漏极电流不随UDS的增加而增加。此时的电流仍然是IDSS，JFET管的状态称为恒流状态（放大状态、饱和状态）。 此时场效应管可当作电压控制器件用来组成放大电路。;（3.4) UGS =0伏、UDS继续增加至U（BR）DS ;(4) 在UGS = -1伏（即│UGS││Up│的某个值）的前提下 ， 当UDS 由小变大时，JFET的状态;(4.2)UGS = -1伏、UDS的值增加至某值开始出现预夹断 ;(4.3) UGS = -1伏、UDS的值继续增加 ;(4.4）UGS = -1伏、UDS继续增加至出现PN结击穿;(5) 当UGS≤ UP时，JFET处于截止状态;JFET的三个状态;小结;场效应管的应用小结 ;第三节 绝缘栅场效应管（IGFET)的结构和工作原理;MOS场效应管;讯陵如鬼跑托杜遏蕉灸蔼铸玻烽遭龋畅摹赞髓患但宅盼酗裸末擎核套铺择电子技术基础--第三章--场效应管与其放大电路电子技术基础--第三章--场效应管与其放大电路;颁哩爷总咆充竹柄勉枝辊凝藐嗡摘奉考炒怂绒译饿最掀黎绸酿涩甘签姥退电子技术基础--第三章--场效应管与其放大电路电子技术基础--第三章--场效应管与其放大电路;二、 增强型MOS场效应管;一、N沟道增强型MOS场效应管结构;P沟道增强型MOS场效应管结构;二、 N沟道增强型MOS的工作原理;按照如下的思路来讲解： （1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0； （4）电压源VGS和电压源VDS同时起作用。;（1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0；;（2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0；;（2.3） 当VDS=0V，VGSVT时, 沟道加厚; （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为大于开启电压的某值; （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0;（3.3）电压源VDS的值增加使 VGD=VGS－VDS ＜VT;三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;三、 耗尽型MOS场效应管;一、N沟道耗尽型MOS场效应管结构;P沟道耗尽型MOS场效应管结构;二、N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理;三、N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线;场效应管的主要参数;7. 低频跨导gm ：反映了栅源压对漏极电流的控制作用。;第四节 场效应管放大电路;姜释鱼蠢献孝选讯磐淘者掂髓莎哆怎钟愉三愚苑藤翅哑潜哼厄锗筑檄颤东电子技术基础--第三章--场效应管与其放大电路电子技术基础--第三章--场效应管与??放大电路;一、场效应管放大电路的直流通路;VGS = VG-VS;大电阻（M?)， 减小R1、R2对放大电 路输入电阻的影响;VGS = VG-VS;-IDRS;二、场效应管的低中频小信号模型 ;三、三种基本放大电路;（1） 直流分析;基本放大电路;Id;ri;输出电阻;3、共栅放大电路;S;电压增益;组态对应关系：;输出电阻：; 解：;例题;比较内容 ;小 结;小 结;小 结;重点难点