第七章-半导体表面和MIS结构.pptVIP

第七章 半导体表面与MIS结构 Semiconductor surface and MIS structure ;主要内容及要求（10课时）：;§ 7·1 表 面 态;a;x≤0区的电子波函数为：;达姆在1932年用量子力学严格证明，晶体的自由表面的存在，使得周期性势场在表面处发生中断，引起附加能级，电子被局域在表面附近，这种电子状态称为表面态，所对应的能级为表面能级。每个表面原子对应一个能级，组成表面能带; “理想表面”就是指表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面上不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。;硅表面7× 7重构的原子照片; 由于悬挂键的存在，表面可与体内交换电子和空穴。如n型硅的清洁表面带负电。; 从硅表面态的实验测量中，证实其表面能级由两组组成： 一组为施主能级，靠近价带； 另一组为受主能级，靠近导带。;这种表面态的特点是，其表面态的大小与表面经过的处理方法有关；而达姆表面态对给定的晶体在“洁净”表面时为一定值大约为1015cm-2(每个表面原子对应禁带中的一个能级)，实际上由于表面被其它原子覆盖，表面态比该值小得多，为1010～1015cm-2 。;§ 7·2 表 面 电 场 效 应;2、理想MIS结构：;由于MIS结构是一个电容，当在金属与半导体之 间加电压后，在金属与半导体相对的两个面上 就要被充放电。但和一般意义的电容不一样！;首先，在空间电荷区内，从半导体的表面到体内，电场逐渐减弱，到空间电荷区的另一端，电场强度减小到零。;表面空间电荷区内能带的弯曲; 表面势surface potential及空间区内电荷space charge的分布情况,随金属与半导体间所加的电压VG(gate voltage)而变化，主要可归纳为堆积accumulation、耗尽depletion和反型inversion三种情况:;（1） 多数载流子堆积状态;VG=0时,理想MIS结构的能带图;在金属和P型半导体间加上电压，则将会在半导体的表面层中产生空间电荷区，;qVs;表面势及空间电荷区内电荷的分布情况，随金属与半导体间所加的电压VG变化，可分为：;（1）VG0 多子空穴的积累;（a）能带向上弯曲，EV接近甚至高过费米能级EFs； （b）多子（空穴） 在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。堆积的空穴分布在最靠近表面的薄层内。 ;特征：半导体表面能带平直。;①表面能带向下弯 曲； ②表面上的多子浓 度比体内少得多， 基本上耗尽，表面 层负电荷基本等于 电离受主杂质浓度。 ;能带进一步下弯 1）在表面处EF可能高于中间能级Ei，EF离Ec更近；;二、表面空间电荷层的电场、电势和电容;*考虑在表面层中载流 子满足经典统计； *表面空间电荷层中的 电离杂质浓度为一个 常数，和体内相等。;在半导体体内，电中性条件成立，同时空间电荷 区中的电离杂质浓度为一个常数与体内相等，有：;其中np0和pp0为体内平衡时的电子和空穴浓度; ;德拜在研究电介质表面极化时提出的正离子电场可能影响到电子的最远距离。这里作为一个特征长度。;F函数是表征半导体空间电荷层性质的一个重要 参数。通过F函数的引入，可以表达空间电荷层的其他基本参数。;（2）表面电荷密度Qs分布;表面层载流子浓度的变化：;;;讨论： （以p型半导体为例）;所以，F函数近似为：;Vs;(b) 平带状态 ;因为在Vs为零时，Cs分母为零是不定值，所以要求Vs趋于零的极限值，采用级数展开。;当VS 趋于零时：;（c）耗尽状态：;Es、Qs、Cs 随表面势Vs 的变化关系！;（2）、Es为正的，电场和X方向一致；Qs为负 的，表明空间电荷是由电离受主杂质形 成的负电荷。;“耗尽层近似”来处理耗尽状态： 空间电荷层的空穴都已全耗尽，电荷全由已电 离的受主杂质构成。;;(d)反型状态;;其中：;开启电压VT：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压就是开启电压. 此时，表面势:VS=2VB;强反型层状态的讨论：;;随表面势按指数增加;由上面式子可看到：;（3）、表面耗尽层在达到最大值时，不再增加厚 度。另外，由于表面反型层的厚度在纳米量级， 和电子的德布罗衣波长相当，应考虑量子效应。 2DEG的形成。;(e)、深耗尽层状态：;MIS结构是组成MOSFET等表面器件的基本部分； 电容－电压特性是用 于研究半导体表面和 界面的重要手段。;在MIS结构的金属和半导体间加以某一电压VG后，电压VG的一部分Vo降在绝缘层上，而另一部分降在半导体表面层中，形成表面势Vs，即;VG=Vs+Vo (2);上式表明MIS结构电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷