讲座3旋转电子.pptVIP

自旋电子学及其相关领域前沿科学研究; 一、巨磁电阻效应（GMR） 二、隧道磁电阻效应（TMR） 三、稀磁半导体（DMS） ; 一、巨磁电阻效应（GMR）;2007 Nobel 物理奖—巨磁阻效应;巨磁电阻（GMR）效应;FM层间的振荡耦合――普适现象 ;FM层间的振荡耦合――SMOKE;单层膜厚度 t 的限制金属：t（≈2nm ）《 λ(≈20nm)《 Ls (≈200nm） ;Mott两流体模型 (1);两流体模型（2）;两流体模型（3）α测量值：Co和Ni大；Fe较小；Cu为零I.A.Cammpbell and A.Fert (1982);Mott两流体模型(4);Mott模型和GMR效应（1） ;Mott模型和GMR效应（2） ;Pseudo spin valve (PSV) M(H) R(H);Spin-Valve (SV);Spin valve (SV) – M(H) R(H);; 二、隧道磁电阻效应（TMR）;（二）隧道磁电阻（TMR）的发现与新进展;TMR与GMR之比较;Conductor; GMR TMR;隧道磁电阻效应;FM(Co(001));;最新进展－量子振荡 TMR;隧穿现象;计算穿透率 T 自由电子平面波情况;隧穿电流 Simmons 公式！（1963） ;几种隧穿现象的差别;隧穿磁电阻 (TMR) 效应;TM