钒注入4h-sic半绝缘特性的研究 characteristics of semi-insulating 4h-sic layers by vanadium ion implantation.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 27 8 VOl.27 NO.8 年 月 2006 8 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Au . 2006 g 钒注入4H-siC半绝缘特性的研究% 王 超 张玉明 张义门T ( 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安 710071) 摘要!研究了2100keV 高能量钒注入 4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性 注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软 件 TRIM进行模拟 采用一种台面结构进行. I-V 测试 发现钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型有很大 关系 常温下 钒注入 型和 型 的电阻率分别为 10 和 6 测量了不同退火温度下的 . p n 4H-SiC 1.610 7.610 o cm. 电阻率 发现高温退火有利于钒的替位激活和提高电阻率 由于钒扩散的影响1700C退火使得电阻率略有下降 测. 量了H 型SiC 钒注入层在 20 140C 时的电阻率 计算出钒受主能级在 4H-SiC 中的激活能为 0.78eV. ~ 关键词!碳化硅5 半绝缘5 钒离子注入5 退火5 激活能 : 5 PACC 6170T 7220 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # TN304.2 A 0253-4177 2006 08-1396-05 上研究钒注入对材料的影响 对于选择性地实现半 1 引言 绝缘材料具有重要意义. 本文报道分别在 型和 型 中注入钒