飞思卡尔在高边开关系列中新增两个smartmos器件.pdfVIP

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  • 2017-08-13 发布于上海
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飞思卡尔在高边开关系列中新增两个smartmos器件.pdf

飞思卡尔在高边开关系列中新增两个smartmos器件

.≥freeScal掣 飞思卡尔半导依 流小于l肚的可编程振荡器。同时,nexiBQE器件具备 停止电流降至370rLA; 一个内部电压调节器,帮助系统从停止模式下快速唤 6雌唤醒时间; 醒,唤醒时间一般为6岬。nexisQEl28设备在停止模式 超低运行电流起始于50“cm—mp8 下的功耗非常低,停止模式下最低功耗所需的电流为 50M毗s08或ColdFi咒V1内核运行频率; 370nA。时钟订控可关闭时钟,这样可烈进一步降低运行 25M池的总线频率; 模式下的功耗33%。 最大8KB的RAM; 这些超低功耗特性使嵌入式设备开发人员可以充 最高128KB的闲存; 分利用nedB QEl28系列的兼容性优点,同时确保设备 “信道的12位模数转换器(ADC); 的低功耗,甚至在升级至32位设备时也是如此。这肘下 两个模拟比较器; 一代电池供电设备至关重要。 2×SCI、2×I℃、2×SH 为了简化主板设计,飞思卡尔提供功能齐全的 一个6信道和两个3信道的定时器WM模块; EVBQEl28评价板、经济高教的DEMOQE演示板和多种实时时钟(RT℃); 参考设计及应用注释。同时.飞思卡尔还将通过使用虚 最多70路通用输入,输出(GH0); 拟实验室和网络广播来帮助开发人员学习如何使用 系统集成:频率锁定环(n工)和软件看门狗; nexi5 QEl28器件设计产品。 内部时钟源(IcS); 低功耗外部32klIz振荡器; FIexis QEl28产品的特性 电压范围为1.8v一3.6V; Mc9S08QEl28:第一款带128KB闪存的8位s08增强型内部振荡器、电压调节器和实时计数器; MCU: 封装:80LQFP、64LQFP; Vl MCF51QEl28:第一款32位c0IdFimMCU和业界 温度范围:一加℃一+85℃: 最高效的32位控制器; 飞思卡尔在高边开关系列中新增两个SMARTMOS器件 最新的四通道开关旨在节省汽车和工业应用的空间和成本 汽车工业模拟、混合信号和电源管理器件领先的供应商飞思卡尔半导体继续扩充其高边开关的阵容。飞思 复杂性。 . 了高密度cMOS逻辑、精确的模拟电路和强劲的负载,输出驱动器的经济高效的集成。这些系统封装器件的设计 为严格的汽车应用带来了强劲的高电流负载控制。 四通道开关设计能够提高主板空间的效率,节约系统级的成本。它们与微控制器一起.为各种负载,如马 达、照明、传动器(继电器和电磁阍)和其他电感、电阻或电容元件等提供了必要的控制和保护。 全。内置的荷机和睡眠模式可为低功耗的应用节约能源。用户可通过一个串行外设接口(SPl),对这两款开关进 行编程,严格控制故障电流,帮助保护线束及电路板。 高边开关的特点 (PWM)能力的并行控制;输出开关的压摆率控制;低压,高压关fjj,过电流和高温保护;低待机,休眠状态电流 (一般值为5斗^);温度反馈;最高27V的操作电压;一40℃一125℃的操作温度范围。 定价爰供货情况 高边开关现已投入批量生产,lO000件的建议单位零售价格(美元): MC33580 15mn四通道高边开关为l2.74; MC33874 2.54。 35d以四通道高边开关为l

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