极性晶体的生长习性.pdf

极性晶体的生长习性 李汶军 施尔畏 殷之文 （中国科学院上海硅酸盐研究所，上海!%(\%% ） 摘要 采用配位多面体生长习性法则研究了极性晶体 ， 和 的理论生长习性 发 ^-I ^-) )3I! ’ 现其正负极轴方向的生长速度不同’ ^-I 晶体的理论习性为六方柱状，各晶面的生长速度为： ； 晶体的理论习性为四面体，各晶面的生长速度 〈 〉‘ 〈 〉‘ 〈 〉‘ 〈 〉‘ 〈 〉^-) %%%( %( ( ( %( (% %( (( %%% ( 为： ； 晶体的正负极轴方向的生长速度为 〈 〉‘ 〈 〉a 〈 〉a 〈 〉‘ 〈 〉 )3I 〈 〉‘ ((( %%( (%% %(% ( ( ( ! ( (!% 此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好 而 理论不能解释正负 ’ ’ /N1 〈 〉 (( !% 极轴方向生长速度的差异’ 关键词 !# 晶体 !$ 晶体 $%# 晶体 生长习性 ［］ 水热法是一种制备优质氧化物粉体的湿化学方法 ( ’ 由于水热反应是在非受限的条件下 进行的，溶液的过饱和度较低，而且由水热法制得的氧化物晶粒具有晶粒结晶完好、无团聚、分 散性好等特点’ 因此水热法是一种研究晶粒生长习性的理想方法’ 晶体的生长习性是晶体内部结构的外在表现，研究晶体的生长习性对预测晶体的生长机 #!! 第 卷 第 期 年 月 ** /333 // 简报 ［］ ［，］ ) * 理具有很重要的意义 有关晶体生长习性的理论模型主要有 法则 和 理论 ! #$% ’( 等! #$% 法则从晶体的面网密度出发，并考虑了晶体结构中螺位错和滑移面对其最终生长 习性的影响，给出了晶体的理论生长习性； 理论从分子间的键链性质和结合能角度定量描 ’( 述了晶体的生长习性，但上述模型在解释晶体生长习性的问题上仍然存在着一定的不足，例如 这两个理论模型都无法满意地解释极性晶体的生长习性 如很难合理地解释二氧化硅晶体的