存储系统(part2)的.ppt

计算机组成原理与汇编语言(2006级);第二部分 存储系统;存储系统概述 主存储器的组成与工作原理 高速缓冲存储器的结构与工作原理 辅助存储器（磁表面存储器） 虚拟存储系统;1.1 存储系统概述;1.1 存储系统概述;1.1 存储系统概述; Processor logic capacity: about 30% per year clock rate: about 20% per year Memory DRAM capacity: about 60% per year (4x every 3 years) Memory speed: about 10% per year Cost per bit: improves about 25% per year Disk capacity: about 60% per year;1.1 存储系统概述;1.2 半导体存储器;1.2 半导体存储器;存储系统概述 主存储器的组成与工作原理 高速缓冲存储器的结构与工作原理 辅助存储器（磁表面存储器） 虚拟存储系统;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.1 存储单元电路;2.2 存储芯片内部结构;2.2 存储芯片内部结构;2.2 存储芯片内部结构;2.2 存储芯片内部结构;2.2 存储芯片内部结构;存储芯片结构示例;存储芯片结构示例;存储芯片外特性;2.3 RAM 读写时序;2.3 RAM 读写时序;2.3 RAM 读写时序;2.3 RAM 读写时序;存储器芯片结构总结 SRAM普遍采用全地址线方式，即芯片地址管脚安排了内部所需要的全部行地址和列地址。芯片采用片选信号CS。 DRAM为压缩芯片面积，减少管脚数目，普遍采用地址线复用方式，即芯片地址管脚只安排内部所需要的地址的一半，行地址线与列地址线复用，内部设置行地址和列地址锁存器，分时输入行地址和列地址。采用行选信号RAS和列选信号CAS分别控制行地址和列地址的输入，RAS同时作为芯片的片选信号。;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.4 存储器芯片的扩展;2.5 DRAM的刷新;2.5 DRAM的刷新方式;2.5 DRAM的刷新方式;2.5 DRAM的刷新方式;2.5 DRAM的刷新方式;2.6 ROM（只读存储器）;2.6 ROM（只读存储器）;2.6 ROM（只读存储器）;2.6 ROM（只读存储器）;2.7 提高存储器访问速度的措施;存储系统概述 主存储器的组成与工作原理 高速缓冲存储器的结构与工作原理 辅助存储器（磁表面存储器） 虚拟存储系统;μProc 60%/yr.;存储访问的局部性原理;3.1 高速缓冲存储器(CACHE)的结构;3.1 高速缓冲存储器(CACHE)的结构;3.1 高速缓冲存储器(CACHE)的结构;3.1 高速缓冲存储器(CACHE)的原理;3.2 CACHE的工作原理;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.3 CACHE与主存之间的映射;3.4 CACHE的替换策略;3.5 CACHE与主存的数据一致性;3.5 CACHE与主存的数据一致性;3.6 CACHE的其他一些问题;3.7 CACHE举例;3.7 CACHE举例——三级Cache系统;3.7 CACHE举例——2 Ways 组相联Cache地址机构;存储系统概述 主存储器的组成与工作原理 高速缓冲存储器的结构与工作原理 辅助存储器（磁表面存储器） 虚拟存储系统;4.1 磁表面存储原理;4.2 磁记录编码方式;4.2 磁记录编码方式;4.3 硬磁盘存储器的基本结构;4.3 硬磁盘存储器的基本结构;4.3 硬磁盘存储器的基本结构;4.3 硬磁盘存储器的基本结构;4.4 磁盘的性能参数;4.4 磁盘的性能参数;4.4 磁盘的性能参数;4.5 RAID(磁盘阵列）;4.5 RA