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硅片缺陷测试的
Inline PhotoLuminescence
High Quality
High Speed
Inline Imaging
Lifetime Calibrated
PL Applications
• Inline photoluminescence measurement at any
processing stage from as cut wafers to finished cells.
• Megapixel images of full 125 or 156 mm wafers.
• High resolution image enable defects detection around
grain boundaries and of dislocations.
• Sensitivity of low lifetime areas detection on edge and
corner wafers
• Sensitivity of Edge isolation and shunt defects
monitoring on finished cells
• Flexible wafer classification by either lifetime or PL
intensity
• Effective calibration methodology: Calibrated to Semilab
QSS-μPCD or μPCD lifetime
2/26/2012 2
Photoluminescence Imaging
• Excitation of charge carriers is carried out by high
intensity illumination
• Charge carriers recombination Conduction band
• If no defects present, there is a chance of radiative
e P
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c L
i s
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i
recombination
a g defect
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