干法氧化制备sige弛豫缓冲层及其表征 preparation and characterization of a sige buffer layer by dry oxidation.pdfVIP

第28卷第12期 半导体学报 V01．28No．12 CHINESE OFSEMICONDUCTORS 2007年12月 JOURNAL Dec．，2007 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征* 蔡坤煌 张 永 李 成’ 赖虹凯 陈松岩 (厦门大学物理系半导体光子学研究中心，厦门 361005) 摘要：SiGe弛豫缓冲层是高性能si基光电子与微电子器件集成的理想平台．通过1000℃干法氧化组分均匀的应 X 变Sio∞Geo12层，在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0．3，弛豫度大于95％，位错密度小于1．2105cml的Ge 组分渐变SiGe弛豫缓冲层．通过对不同氧化时间的样品的表征，分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制． 关键词：氧化；锗硅弛豫缓冲层；位错 PACC：8160；7360F；3320F 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007J12-1937．04 豫缓冲层的方法，以降低成本和方便后续的器件制 1 引言 作工艺． 、 氧化组分均匀的应变SiGe层，由于Si和Ge的 硅基SiGe异质结构因其优良的物理性质，与成活性不同，SiGe被选择性地氧化形成SiO。，而Ge 熟的硅工艺相兼容，成为制备高性能硅基微电子与 光电子器件的重要材料．特别是低位错密度SiGe弛同时在高温下通过扩散形成Ge组分渐变的SiGe 豫缓冲层构成的Si基虚衬底，是实现高速率应变硅 MOSFET、硅基长波长Ge光电探测器、中远红外 SiGe／Si量子级联探测器以及硅基光电子与微电子 器件集成的基础[1q]，具有重要的应用价值． 氧化时表面所形成的Si02层对Ge实现了有效的 空间限制，因此氧化后形成了较薄的、Ge组分均匀 传统的制备SiGe弛豫缓冲层的方法有：(1)用 的SiGe弛豫缓冲层． MBE或CVD在Si衬底上外延Ge组分渐变的 SiGe弛豫缓冲层[43．为了有效地将晶格失配引入的 本文采用1000℃干法氧化Si衬底上组分均匀 位错限制在缓冲层内，Ge组分变化缓慢，Ge组分每 的应变Sio．。。Geo．。。层，制备出了穿透位错密度低、表 增加10％就需要增加1弘m的缓冲层厚度，因此需面平整、较薄的、Ge组分较高且渐变的SiGe弛豫缓 要很厚的缓冲层才能实现高Ge组分，生长费时且 冲层． 表面起伏较大，需化学机械抛光．(2)在Si衬底上 低温条件下生长一层Si[5]作为释放应力的激活源．2 实验 在其上淀积SiGe层，退火过程中位错主要产生于低 温Si界面附近，形成低位错密度SiGe弛豫缓冲层． 实验样品是利用超高真空化学气相沉积 该方法主要缺点是SiGe层的生长温度对低温Si层 有较大的影响，难以达到完全弛豫且Ge组分不能 太高．(3)在Si衬底上生长SiGe／Si超晶格，将位错 阻挡于超晶格的界面上以减小表面的位错，但效果 并不理想．其他如利用图形衬底选区外延、在SiGe成若干个2cm×2cm的小片后，经清洗后放人氧化 层中加人中间层和高低温退火等方法也可得到弛豫 炉．在1000℃下干氧气氛中分别氧化2，4，6和10h SiGe缓冲层，但是对后续器件的制作，特别是集成等．在氧化过程中放人若干单晶Si片做为陪片一起 电子与光电子回路是很不方便的．因此需要寻找一 氧化，以便比较． 种制备表面平整、表面Ge组分可控、薄的有效的弛 氧化层的厚度由椭偏测厚仪测得；通过AES能 助项目 t通信