高k材料用作纳米级mos晶体管栅介质薄层(上) high-k replacement of ultrathin gate dielectrics for nanoscale mos transistors (ⅰ).pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高k材料用作纳米级mos晶体管栅介质薄层(上) high-k replacement of ultrathin gate dielectrics for nanoscale mos transistors (ⅰ).pdf

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高k材料用作纳米级mos晶体管栅介质薄层(上) high-k replacement of ultrathin gate dielectrics for nanoscale mos transistors (ⅰ)

趋势与展望 0叫ook眦dFl吐I聆高k材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(上) 翁妍，汪辉 (上海交通大学微电子学院，上海200030) 摘要：随着45nm和32 nm技术节点的来临，传统的si02作为栅介质薄膜材料的厚度需缩小到1nm之下，材料的绝缘性、可靠性等受到了极大的挑战，已不能满足技术发展的要求。高七材料成为代替02作为栅介质薄层材料的不错选择，但是大多数高磊材料是离子金属氧化物，其基本物理和材料特性导致产生很多不可靠因素。从高南材料的基本物理和材料特性角度，回顾了高_】}材料代替Si02用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层时产生的主要不可靠因素及根本原因。关键词：栅介质薄层；高介电常数；可靠性中图分类号：rIN304；1蛋『386．1文献标识码：A 文章编号：100B．353x(2008)01．0001．晒 of IJltra恤nGateDielectrics High-女Replac哪ent forNanoscaleMOS T期厦塔istors(I) Hui WengYan，Wang 200030，蕊打18) (如以旷腼i陬如c加，如s，s砘哪缸．，i∞乃增跏蛔珊妇，s阮，l咖i of Abs仃act：Witlltlle 45nmand32nm couldbe altematives coming techn0109y，high一五materialsgood of mostofthe are Si02 dielectric．But ionicmetal商des．111efund锄entala11d gate higll一后Ⅱ斌eTials physics 啪terial causeseve疆：lundesimble asweU丑s ofelect矗cal t11e pr叩eIties reliabilityprobleIns d删撕on ，11le between80meelectrical 8uchas a11d perfb珊aIlce． characteristics， cu眦nt， relationships leakage 咖bility its material are and thedetectionofmedefectsin physics prDpe『tiesdiscussed．Especiany high一矗dielect五cs isintI