高k栅介质纳米mosfet栅电流模型 modeling of gate tunneling current for nanoscale mosfets with high-k gate stacks.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高k栅介质纳米mosfet栅电流模型 modeling of gate tunneling current for nanoscale mosfets with high-k gate stacks.pdf

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高k栅介质纳米mosfet栅电流模型 modeling of gate tunneling current for nanoscale mosfets with high-k gate stacks

第27卷第7期半导体学报 v01．27No．7 2006年7月 cHINEsEJoURNALoFSEMICoNDUcTORS July，2006 ofG甜e C珏rre飘专f01．Na糕osealeMoSFETs ModelingT糕n疆eling with Stacks” High-女Gate wa羹gwe∥，su稳m鑫叠羹酽，a珏dG珏Ni建91 (1sm抛L口的MrDryⅣBf卯fecfmn泐，以a托舻“L8幻rdfDry，Dr捌o，，Inf州仃b口删Devjc廖s， jb聪f≯l翻葶￡妇i灌艇}y，蚋蟛i裙2王00垂6，(惫i摊嚣) (2De肼rfmenfⅣ脚ec州c口f砌gi蚪ee一鸺棵蚪dcom肿f盯＆i栅ce，№fve州fy。，胁chf弘，I，凇A) Abstract：A modelbasedonsolutionstothe is tO the quantum Schr6dinger-PoissonequationsdeVelopedinVestigate deVice蜘haVioffelated currentfofnanoscaleMG}SFE骶with s￡acks。弧ismodelean to：ga￡e￡un∽Iing hi豳坟gate “lodelVarioIlsMoSdeVicestructureswithcOmbinationsof materialsand stacks， high一惫dielectric multilayergate effectsonthedeVice aremadefor cufrentbehaViorbetween reVealingquantum performance．Comparisonsgate nMoS聪Tand stackstfuctHres．Theresults afecons泌tentwith da— pMoSFEThigh-惫gate pfesented expefimental ta，whereasanew foran contentinHfSioNdielectricfurther findingoptimumnitrogen gate requires experimental vefifications． K够硼瞒：hi曲-是；g鑫te锄r揩鑫t；qua珏tu瓣越ode| EEACC：2570A C￡￡n嘲魄ber：TN386Dl∞啪entcode：A Art．ckID：0253．4177(2006)07-1170．07 haveinherent inthat However，theV shortcomings l IntrOductiOn some are itis physicsaspects unabletoevaluategatecuffentand The res