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市立松山工農 班級： 座號： 姓名： 命題老師：陳樂 一、選擇題（每題1 分，共100 分）： 1. 【D 】 電晶體放大器施加直流偏壓的主要目的是決定電晶體之？【99 電機四技】(A)熱 電壓(thermalvoltage , VT) (B)α 值 (C)hFE 值 (D)靜態工作點 解析：電晶體施加直流偏壓的目的是使電晶體獲得一個穩定的電壓和電流，也就是決定電晶 體的靜態工作點(Q) 。 2. 【C 】 圖 所示為雙極性接面電晶體的輸出特性曲線，其中 直線為負載線，A 、B 、C 、D 四個點為不同IB 時的工作點。已知IB1 ～IB4 分別為 10μ A 、20μ A 、30μ A 、40μ A ，在避免失真產生的條件下，請問哪一點的輸入 訊號振幅可以最大？【100 電機電子四技】(A)A (B)B (C)C (D)D 解析：由於A 點(IB=40μ A)接近飽和區，所以選擇在中間值的C 點(IB=20μ A)時，其輸入訊號 振幅可以最大。 3. 【A 】有關 NPN 電晶體放大器之偏壓電路所建立的工作點(Q 點) ，下列敘述何者正確？ 【100 動力四技】(A)工作點為電晶體共射極組態輸出特性曲線與直流負載線之 交點 (B)工作點之橫座標與縱座標分別為電晶體基- 射極間電壓與集極電流 (C) 工作點若太靠近電晶體截止區，則放大器輸入電壓在正半週期較易產生失真 (D)當放大器輸入電壓為零時，電晶體集極直流電流亦為零，與工作點無關 解析：(1)若為CE 組態的輸出特性曲線時，橫座標為VCE ，縱座標為IC 。(2)CE 組態時，若Q 點太靠近截止區，則Vi 的負半週易產生失真(即Vo 的正半週易失真) 。(3)當Vi=0 時，IC =ICQ ¹ 0 。 4. 【A 】 如圖 所示，如果減小 電阻RB 之值，則電路之工作點(Q 點)在直流負載線上會如何移動？【96 電機電 子四技】(A)移向A 點 (B)移向B 點 (C)移向C 點 (D)移向D 點 解析： 5. 【A 】 如圖 所示之電路，若VCC=20V ，RL=50Ω ，則此放大器最 大交流輸出功率為何？【97 電機電子四技】(A)1W (B)2W (C)3W (D)4W 解析： 6. 【D 】圖 的電晶體放大電路，若工作點Q 靠近電晶體飽和區， 則下列敘述何者正確？【100 電機四技】(A)Vo 與Vi 相位相同，Vo 正半週易產生 失真現象 (B)Vo 與Vi 相位相同，Vo 負半週易產生失真現象 (C)Vo 與Vi 相位相 反，Vo 正半週易產生失真現象 (D)Vo 與Vi 相位相反，Vo 負半週易產生失真現象 解析：(1)該放大電路為共射極(CE)放大電路，所以Vo 與Vi 相位相反(相差180°) 。(2)如圖 所示，當工作Q 偏向飽和區時，Vo 輸出波形的負半週易產生失 真現象。 7. 【D 】 如圖 所示電路及電晶體之特性曲線， 假設電晶體原來的工作點為Q 點，則當RB 電阻值變大時，其新的工作點應近似 於哪一點？【91 電子四技】(A)A 點 (B)B 點 (C)C 點 (D)D 點 解析：當RB ↑，則IB ↓，IC ↓，VCE ↑( ∵VCE=VCCIC RC) ，新的工作點會往截止區移動，故新的 工作點為D 點；非C 點(IB ↓，但VCE ↓，故不合) 。 8. 【B 】 如圖