过冷度对重掺b直拉si单晶中小角晶界的影响 influence of undercooling on low-angle grain boundary in heavily boron doped czochralski silicon.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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过冷度对重掺b直拉si单晶中小角晶界的影响 influence of undercooling on low-angle grain boundary in heavily boron doped czochralski silicon.pdf

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过冷度对重掺b直拉si单晶中小角晶界的影响 influence of undercooling on low-angle grain boundary in heavily boron doped czochralski silicon

制造工艺技术 M驵u胁嘣ngTechnology DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2011．05．009 过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响王飞尧，孙新利，饶伟星，何国君，王伟棱 (杭州海纳半导体有限公司，杭州310053) 摘要：小角晶界是Si单晶中的严重缺陷，生产中需要极力避免。对于重掺B直拉111Si 单晶，当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析，在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法。分别采用增加加热器功率减小过冷度及降低埚位减少过冷度的两种工艺方法，成功实现生长无小角晶界重掺 BlllSi单晶。通过生产中实际晶体生长情况对比分析发现，低埚位生长无小角晶界的重掺B 直拉111Si单晶工艺更具备生产优势。关键词：小角晶界；过冷度；硅单晶；重掺硼；掺杂浓度中图分类号：TN304．053文献标识码：A 文章编号：l003—353X(2011)05一0373—05 Innuenceof On Grain in UndercoolingLow—AngleBoundaryHeaVny BorOn CzochralskiSilicon Doped Rao He WangFeiyao，SunXinli， Weixing，Guojun，WangWeileng (讹耐oⅡ舶i加sem面D，Id∽lorco．，厶d．，肌呼hou3l0053，劬梳口) isaserious defectandmustbe Abstract： boundary crystal Low-anglegrain avioded．Low-ande was in boron ll1czochralskiwhenthe grainboundaryeasily heavily silicon， happened doped concentrationnear tllesolid facto璐of doping solubility．Innuencing low-anglegrainbounda哆were baseonthefo咖ation Themethodsof was f而m mechani8m． reduction analyzed undercooling proposed thetheoI．etical The was of and the analysis．undercoolingchangedbyincreasingheatingpowerreduceing cmcible The boron 1czochralskisiliconwithno boundary position．heavilydoped11 low-anglegrain was thesetwomet