高栅压下超薄栅nmosfet的rts噪声 rts noise in ultra-thin oxide nmosfet under high gate bias.pdfVIP

第28卷第4期 半导体学报 V01．28NO．4 2007年4月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCToRS Apr．，2007 鲍 立+ 庄奕琪 包军林 李伟华 (西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071) 摘要：在深入研究SMIC 隧穿栅介质的物理起源，并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述．结合IMEC和TSMC的研究，建立了栅压与 RTS噪声时间参数的物理模型，实验结果和模型模拟结果的一致说明了模型的有效性．该研究为边界陷阱动力学 和此类器件可靠性提供了新的研究手段． 关键词：RTS；深亚微米；边界陷阱；MOS器件 PACC：4350；5225G；7270 中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)04-0576-06 激活过程E1,23，而在陷阱辅助隧穿研究中则广泛接 1 引言 受载流子交换是一隧穿过程‘123，本文研究中结合了 热激活过程和隧穿过程二者特点，使用热激活+隧 传统的RTS模型中载流子交换仅仅发生在陷 阱和沟道之间E1,2]．但是随着工艺水平的提高，栅厚RTS噪声这一实验现象． 度已经减小到纳米量级[3]，陷阱和栅电极之间载流 子的交换也已经不容忽视．近期的研究中已经观测 2 理论 到栅电流影响器件低频噪声的现象[4]． 在IMEC的研究[4羽中，观测到了栅介质隧穿 传统的RTS噪声研究[1。]认为，边界陷阱只和 引起MOS器件噪声增大的现象．研究者认为，这一 沟道发生电子交换．近期的研究[9’1叩则认为，nMOS 现象是价带电子隧穿的结果[5]．在对TSMC样品的中的边界陷阱可以和沟道以及栅电极中的任意一个 研究[63中，RTS噪声在多个高栅压下的nMOS中再交换电子，但价带和导带中电子能量不同，发生交换 次出现，研究者利用IMEC[4’5]的结论解释了这一现 的机制也有所不同．另外，随着栅电压的升高，由于 象，并将其归结为另外一个能级上的陷阱．虽然这一 介质势垒的降低以及介质中电场的增强，陷阱和栅 解释能够解释他们的实验现象，但是不能够解释高 电极之间的隧穿几率越来越大．陷阱辅助隧穿的研 栅压和通常栅压下RTS噪声的依存关系．陷阱辅助 究[7~1如认为，在栅电压比较高的情况下，陷阱向栅 隧穿是从栅电流角度研究边界陷阱的另一个热 电极发射电子已经占据主导地位． 点[7~11|．也有关于栅电流噪声的研究[9’10|，有的甚至 在高栅压下，沟道中电子可以像传统RTS理论 研究了陷阱辅助隧穿对MOSFET低频噪声的影认为的通过热激活和隧穿进入陷阱[9’1叩；而陷阱中 响[4]．但是目前尚未出现以陷阱辅助隧穿来解释 的电子则如陷阱辅助隧穿理论[7~11]中所描述的向 RTs噪声的报道． 栅电极发射电子．这两个过程交替发生，由于陷阱内 文中使用的高栅压超出了器件的额定范围 电荷的变化影响了沟道内电子的运动，使得器件表 (0．9V)，但是这种情况下的RTS噪声是边界陷阱现出RTS噪声．由于这一电子输运机制具备了热激 影响器件特性的另一种行为方式，也是和器件可靠 活和隧穿两个特点，本文使用热激活+隧穿建立模 性密切相关的一个特征．研究该噪声的特性和机理， 型． 对氧化层中陷阱空间分布、完整动力学特征的提取 热激活+隧穿模型[13]认为，陷阱对载流子的俘 以及器件可靠性的表征都很有意义，可以进～步为 获和发射在能量和空间上都发生了变化，是一个热 器件工艺的改善提供指导．